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J-GLOBAL ID：202502247888325281   整理番号：25A3042778

MoS₂膜上のスパッタAlシード層挿入Al₂O₃膜のバンドギャップ向上

Enhancement of Al₂O₃ band gap with Al seed layer deposited by sputtering on MoS₂ film

著者 (5件)： 田賀充 (東京科大) ,  野澤俊輔 (東京科大) ,  星井拓也 (東京科大) ,  角嶋邦之 (東京科大) ,  若林整 (東京科大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.7p-N302-10  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 硫化モリブデン(IV) ,  下層 ,  スパッタリング ,  *アルミナ ,  *バンドギャップ ,  薄膜形成 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  シード層 ,  成膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： MoS2 ,  スパッタ ,  Al ,  シード層 ,  Al2O3 ,  バンドギャップ