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J-GLOBAL ID：202502264636750564   整理番号：25A2456643

Zn,Ga及びH₂Oを原料とする大気圧CVD法によるサファイヤ基板上へのZnGa₂O₄薄膜の成長-キャリアガス流量比,成長時間および金属原料充填比依存性-

Growth of ZnGa₂O₄ thin films on sapphire substrates by atmospheric pressure CVD using Zn, Ga, and H₂O as source materials-Carrier gas flow ratio, growth time, and metal source loading ratio dependences-

著者 (4件)： 安藤稜平 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  菅原新 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  寺迫智昭 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  矢木正和 (香川高専)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 125  号： 106(CPM2025 11-18)  ページ： 13-16 (WEB ONLY)  発行年： 2025年07月02日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  化学蒸着 ,  *ワイドギャップ半導体 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： CVD法 ,  SEM【顕微鏡】 ,  XRD

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (12件)： Zn ,  Ga ,  H2O ,  原料 ,  大気圧 ,  CVD法 ,  サファイヤ基板 ,  薄膜 ,  成長 ,  キャリアガス ,  流量比 ,  依存性