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J-GLOBAL ID：202502287373997273   整理番号：25A3040984

低温度係数高誘電体に向けたY₂Ti₂O₇薄膜へのSc,La共添加

Co-doping of Sc and La into Y₂Ti₂O₇ thin films for high dielectric constant with low temperature coefficient

著者 (14件)： 名田遥香 (名古屋大 工) ,  横手俊哉 (名古屋大 工) ,  近藤真矢 (名古屋大 工) ,  田口綾子 (JFCC) ,  設楽一希 (JFCC) ,  森分博紀 (JFCC) ,  森分博紀 (科大 MDX) ,  KNOX Reilly (Penn State Univ.) ,  APHAYVONG Sengsavang (阪公大 工) ,  吉村武 (阪公大 工) ,  PAGAN Darren C. (Penn State Univ.) ,  TROLIER-MCKINSTRY Susan (Penn State Univ.) ,  山田智明 (名古屋大 工) ,  山田智明 (科大 MDX)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.9a-N201-7  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *共ドーピング ,  誘電体薄膜 ,  スカンジウム ,  ランタン ,  *チタン酸イットリウム ,  *高誘電率 ,  *薄膜 ,  格子定数 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *X線回折 ,  双極子モーメント ,  温度依存性
準シソーラス用語： PLD【蒸着】 ,  XRD分析 ,  *チタン酸イットリウム薄膜 ,  *共添加 ,  *元素置換

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 温度係数 ,  誘電体 ,  薄膜 ,  Sc ,  La ,  共添加