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J-GLOBAL ID：202502290119685433   整理番号：25A3042574

ラマン分光法による表面ラフネスが(110)Si基板上SiGeエピ薄膜の歪に及ぼす影響の評価

Strain Evaluation of Surface Roughness Effect in SiGe Epi. Thin Films on (110)Si Sub. by Raman Spectroscopy

著者 (7件)： 伊藤佑太 (明治大 理工) ,  伊藤佑太 (日本学術振興会) ,  伊波希宇 (明治大 理工) ,  伊波希宇 (産業技術総合研) ,  臼田宏冶 (明大 MREL) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明大 MREL)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.8p-N401-9  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Raman分光法 ,  *基板 ,  ヘテロエピタクシー ,  *半導体薄膜 ,  表面粗さ ,  格子歪 ,  *トランジスタ ,  *顕微Raman分光法
準シソーラス用語： *(110)Si基板 ,  *SiGe薄膜 ,  P型トランジスタ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ラマン分光法 ,  表面ラフネス ,  Si基板 ,  SiGe ,  薄膜 ,  影響の評価