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J-GLOBAL ID：202502293237301308   整理番号：25A0733443

分子線エピタキシー法によるEu-As二元系新物質薄膜の作製

Fabrication of new Eu-As binary compound films by molecular beam epitaxy

著者 (7件)： 米田忠司 (東京工大 理) ,  西早辰一 (東京工大 理) ,  氏家宏幸 (東京工大 理) ,  中村彩乃 (東京工大 理) ,  渡辺悠斗 (東京工大 理) ,  KRIENER Markus (理研 CEMS) ,  打田正輝 (東京工大 理)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.16p-C31-8  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： Eu原子は化合物中で2価、もしくは3価をとり、2価(Eu2+)の場合にはS=7/2の巨大な磁気モーメントを持つ。そのため、これまでEuOやEuTiO3といったEu系酸化物が磁性半導体材料や巨大磁気抵抗を示す材料として研究されてきた[1,2]...【本文一部表示】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  格子定数 ,  磁気抵抗 ,  磁気モーメント ,  転移温度 ,  *薄膜 ,  特性 ,  *ヒ素 ,  酸化物 ,  原子価 ,  磁気抵抗効果 ,  *ユウロピウム ,  *MBE成長 ,  基板温度
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  Zintl相 ,  巨大磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタキシー法 ,  Eu ,  物質 ,  薄膜 ,  作製