特許

J-GLOBAL ID：202503019481570126

酸化物半導体膜並びにその製造方法、トランジスタ、半導体デバイス、電子回路、電気機器、電子機器、車両、及び動力機関

発明者： 霍間 勇輝 ,  砂川 美佐 ,  笘井 重和 ,  佐々木 大地 ,  星井 拓也 ,  パク ジョンホ ,  玉元 海樹 ,  角嶋 邦之 ,  高橋 崇典 ,  浦岡 行治
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (5件)： 稲葉 良幸 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦 ,  赤堀 龍吾 ,  澤井 光一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：JP2025005066
特許番号：特許第7711340号
出願日： 2025年02月14日
要約：

【要約】移動度が高い酸化物半導体膜を提供すること。インジウムを主成分として含む酸化物半導体膜であって、前記酸化物半導体膜の下層面のラフネス1と、前記下層面とは反対側の上層面のラフネス2との差が、0.06nm以下である、酸化物半導体膜。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 インジウムを主成分として含む酸化物半導体膜であって、 前記酸化物半導体膜の下層面のラフネス1と、前記下層面とは反対側の上層面のラフネス2との差が、0.06nm以下である、 酸化物半導体膜。

IPC (3件)：

H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01) ,  H10D 30/67 ( 202 5.01)

FI (3件)：

H01L 21/365 ,  H01L 21/363 ,  H10D 30/67 103 B