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J-GLOBAL ID：202602277823866267   整理番号：26A1350252

PVD-WS₂膜の窒素中水素混合ガスプラズマによるp型化窒素ドーピング

P-type nitrogen doping of PVD-WS₂ film using H₂/N₂ gas plasma

著者 (9件)： 寺岡楓 (東京科大) ,  伊東壮真 (東京科大) ,  JANG Jaehyo (東京科大) ,  松永尚樹 (東京科大) ,  野澤俊輔 (東京科大) ,  布施太翔 (東京科大) ,  星井拓也 (東京科大) ,  角嶋邦之 (東京科大) ,  若林整 (東京科大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.15p-M_124-3  発行年： 2026年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *遷移金属ダイカルコゲナイド ,...
準シソーラス用語： PVD

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分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： PVD ,  窒素 ,  水素 ,  混合ガス ,  プラズマ ,  窒素ドーピング