特許

J-GLOBAL ID：202603016664503671

ホール素子の製造方法及び磁気メモリ素子

発明者： 東 正樹 ,  重松 圭 ,  李 邱穆
出願人/特許権者： 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所 ,  住友化学株式会社
代理人 (3件)： 森下 賢樹 ,  村田 雄祐 ,  三木 友由
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：JP2023009333
特許番号：特許第7822579号
出願日： 2023年03月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ペロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が3.90~3.97Åである化合物からなる基板上にペロブスカイト型磁性体層を形成する工程と、 前記ペロブスカイト型磁性体層上にSrTiO3を含む絶縁体層を形成する工程と、 前記絶縁体層上にInSb、GaAs、InAsまたはこれらの固溶体を含むホール素子を形成する工程と、を含み、 前記絶縁体層の厚さは2nm~30nmであることを特徴とするホール素子の製造方法。

IPC (2件)：

H10N 52/01 ( 202 3.01) ,  H10B 61/00 ( 202 3.01)

FI (2件)：

H10N 52/01 ,  H10B 61/00