フォトトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-146004
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321893
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】光の入射方向が上下面からに限定され、光ファイバや光導波路等と横方向から直接光結合を行うことができない。また、受光感度を大きくするために光吸収層を厚くすると素子の応答速度が遅くなる。【解決手段】 5は入射光、11は光入射端面、12は基板、13はコレクタコンタクト層、14はコレクタ層、15はべース層、16はエミッタ層、17はエミッタコンタクト層、18はエミッタ電極、19はベース電極、110はコレクタ電極である。光入射端面11は、成長層であるコレクタコンタクト層13と基板12の端面に表面側から離れるに従って内側に傾斜するように設けられている。入射端面11での入射光5の屈折により、光吸収層に対して斜めに光が通過するので実効的光吸収長が長くなり、横方向光入射が可能でありながら光ファイバや光導波路と直接光結合に対して薄い半導体成長層厚で高効率な受光ができる。

請求項（抜粋）：

ベース層(15)がエミッタ層(16)とコレクタ層(14)ではさまれ、その接合部分や近傍の片方または両方がバンドギャップエネルギーの大きな異種半導体よりなる成長層を基板(12)上に設けて構成するヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造のフォトトランジスタにおいて、前記成長層及び基板(12)の端面には表面側より離れるに従い内側に傾斜した光入射端面(11)を設け、入射光(5)を光入射端面(11)で屈折させて光吸収層として機能するベース層(15)及びコレクタ層(14)の層厚方向に対し斜めに通過するようにしたことを特徴とするフォトトランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-220478
特開平3-105985
半導体受光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212406 出願人：富士通株式会社

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