半導体受光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230341
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074974
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】光受光素子全体をpn接合なしに形成し、pn接合部分が光吸収層を介して端面に露出することに起因する暗電流の増大を抑える。また、不純物拡散等によるpn接合の形成を不要とし、プロセスの簡素化を図る。【解決手段】第1の半導体からなる光吸収層とショットキー電極との間に介在し、かつ第1の半導体からなる光吸収層に比して高いショットキー障壁を形成する第2の半導体からなる層を有し、さらに、第1の半導体からなる光吸収層と第2の半導体からなる層が同一導電形からなるもので、ショットキー電極の形成する空乏層が第1の半導体からなる光吸収層に達するように、第1の半導体からなる光吸収層および第2の半導体からなる層を配置した。

請求項（抜粋）：

第1の半導体からなる光吸収層とショットキー電極との間に介在し、かつ前記第1の半導体からなる光吸収層に比して高いショットキー障壁を形成する第2の半導体からなる層を有し、さらに、前記第1の半導体からなる光吸収層と前記第2の半導体からなる層が同一導電形からなるもので、前記ショットキー電極の形成する空乏層が前記第1の半導体からなる光吸収層に達するように、前記第1の半導体からなる光吸収層および前記第2の半導体からなる層が配置されたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/108 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 31/10 C , H01L 29/48 F

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭64-089376
特開昭63-205971
特開平1-194352

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