シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (5件)：杉村憲司 , 杉村興作 , 来間清志 , 藤谷史朗 , 澤田達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-053229
公開番号（公開出願番号）：特開2007-263960
出願日： 2007年03月02日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】シリコン試料の表面に、適正化を図った薄膜振動子を形成することにより、シリコンウェーハ中の原子空孔濃度を、その濃度を高める等の加速処理を行うことなく、定量的に評価することができる、ウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置等を提供する。【解決手段】シリコンウェーハから所定の部位を切り出したシリコン試料5に対し外部磁場を印加する磁力発生手段2と、シリコン試料5を50K以下の温度域に冷却・制御可能な温度制御手段3と、シリコン試料5の表面に対し超音波パルスを発振し、発振させた超音波パルスをシリコン試料5中を伝播させ、伝播した超音波パルスの音速変化を検出する超音波発振・検出手段4とを有し、シリコン試料5の表面に、前記温度域でシリコン試料5の膨張に追随できる物性をもち、かつC軸が所定の方向に揃った薄膜振動子8を直接形成してなることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン試料に対し外部磁場を印加する磁力発生手段と、シリコン試料を50K以下の温度域に冷却・制御可能な温度制御手段と、シリコン試料の表面に対し超音波パルスを発振し、発振させた超音波パルスをシリコン試料中を伝播させ、伝播した超音波パルスの音速変化を検出する超音波発振・検出手段とを有し、シリコン試料の表面に、前記温度域で温度降下に伴うシリコン試料の膨張に追随できる物性をもち、かつC軸が所定の方向に略揃った薄膜振動子を直接形成してなることを特徴とするシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置。

IPC (4件)：

G01N 29/00 , G01N 1/28 , G01N 29/24 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01N29/18 , G01N1/28 K , G01N29/24 , H01L21/66 N

Fターム (30件)：

2G047AA08 , 2G047AC10 , 2G047AD07 , 2G047AD20 , 2G047BA01 , 2G047BB01 , 2G047BB04 , 2G047BC02 , 2G047BC15 , 2G047CA01 , 2G047CB01 , 2G047CB02 , 2G047EA08 , 2G047EA10 , 2G047GA13 , 2G047GB21 , 2G047GB32 , 2G047GB33 , 2G047GF06 , 2G047GG29 , 2G047GG33 , 2G052AA14 , 2G052GA26 , 2G052HC22 , 4M106AA01 , 4M106AA11 , 4M106BA20 , 4M106CB19 , 4M106DH20 , 4M106DH45

引用特許：

出願人引用 (2件)

結晶欠陥測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-320457 出願人：富士通株式会社
特開平1-098960

審査官引用 (3件)

特開平1-098960
特開平1-098960
結晶欠陥測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-320457 出願人：富士通株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

Observation of Low-Temperature Elastic Softening due to Vacancy in Crystalline Silicon

審査官引用 (1件)

Observation of Low-Temperature Elastic Softening due to Vacancy in Crystalline Silicon

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