特許
J-GLOBAL ID:200903081503429034

半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 光石 俊郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-169587
公開番号(公開出願番号):特開平9-023036
出願日: 1995年07月05日
公開日(公表日): 1997年01月21日
要約:
【要約】【課題】 出射ビーム径の大きな半導体レーザを提供する。【解決手段】 半導体レーザ11の半導体活性層13の一部をテーパ状のテーパ部13aに加工し、細くなったテーパ状の活性層の先をそのままの幅でストライプ状に延長し、レーザの端面に到達させるものであり、前記半導体活性層13のテーパ部13aは、100μm以上とすると共に、テーパ部13aの先端部の延長部分が100μm以下である。
請求項(抜粋):
半導体活性層の一部において該半導体活性層の幅がテーパ状に細くなり、該テーパ状活性層の幅が細くなった側の先端部に、該先端部と同じ幅を持つストライプ状の活性層が一体に接続していることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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