特許

J-GLOBAL ID：200903085356102097

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 木戸口 勲 ,  上山 智 ,  足立 秀人 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-251566
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106703
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するもので、相対雑音強度の低い半導体レーザを容易に歩留まりよく提供する。【構成】 半導体レーザのp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5の一部が台形状のストライプである。該ストライプの幅が、共振器端面近傍で単一横モード発振が得られる幅である。上記ストライプの幅が、前記共振器端面近傍以外で共振器近傍よりも広くなっている。キャリアの注入幅が前記ストライプの幅とほぼ同一である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成され、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層と、該活性層のストライプ状所定領域に電流を注入するための電流狭窄層とを有する積層構造とを備えた半導体レーザであって、前記一対のクラッド層のうち少なくとも一方が、該半導体レーザの共振器方向に沿って延びるストライプ状リッジを有しており、該ストライプの幅が少なくとも一方の共振器端面近傍で、単一横モード発振が得られる幅であり、前記共振器近傍以外のストライプの幅が、共振器近傍のストライプの幅よりも広いことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00