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J-GLOBAL ID：201002257045721020   整理番号：10A0112228

相互結合インダクタを用いたTIA帯域向上手法

Bandwidth Enhancement for TIA with Mutually Coupled Inductors

著者 (5件)： 奥村佳弘 (京大 大学院情報学研究科) ,  中村誠 (京大 大学院情報学研究科 光・電子理工学教育研究セ) ,  岸根桂路 (NTT フォトニクス研) ,  土谷亮 (京大 大学院情報学研究科) ,  小野寺秀俊 (滋賀県大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 336(ICD2009 76-105)  ページ： 157-161  発行年： 2009年12月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光通信システムの受信モジュールのプリアンプであるTransImpedance Amplifier(TIA)について,相互結合インダクタを用いることによる帯域向上手法を提案する。CMOS広帯域アンプに用いられるインダクティブピーキングは占有面積が大きいため,面積の増加を抑えながら帯域を向上させる手法が求められている。提案手法を適用することにより,シャントピーキングと比べ,面積を増加させることなく約9%の帯域向上効果を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： 光通信 ,  *増幅器 ,  前置増幅器 ,  相互インダクタンス ,  インダクタ ,  *広帯域 ,  半導体 ,  周波数特性 ,  CMOS
準シソーラス用語： *トランスインピーダンス増幅器 ,  ピーキング

分類 (2件)： 光通信方式・機器  (ND10000B) ,  増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (4件)：

• Semiconductor Industry Association. International Technology Roadmap for Semiconductors. 2007
• LEE, T. H. The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits. 1998
• MOHAN, S. S. Bandwidth Extention in CMOS with Optimized On-Chip Inductors. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2000, 35, 3, 346-355
• JIN, J.-D. A 40-gb/s transimpedance amplifier in 0.18-μm cmos technology. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2008, 43, 6, 1449-1457

タイトルに関連する用語 (4件)： 結合インダクタ ,  TIA ,  帯域 ,  手法