文献

J-GLOBAL ID：201102240946718301   整理番号：11A1156766

真空中のアルミナ絶縁膜上のインパルス表面フラッシュオーバの進展過程

Development Process of Impulse Surface Flashover on Alumina Dielectrics in Vacuum

著者 (5件)： KOJIMA Hiroki (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HAYAKAWA Naoki (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  ISHIDA Tsugunari (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  OKUBO Hitoshi (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  TSUCHIYA Kenji (Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation  (IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation)
巻： 18  号： 3  ページ： 918-923  発行年： 2011年06月 
JST資料番号： W0578A  ISSN： 1070-9878  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空遮断器の動作電圧向上のためにはその電気絶縁性能を改善する必要がある。真空中での表面放電のフラッシュオーバは真空遮断器の絶縁の基本特性の一つである。本報告では,表面フラッシュオーバの電圧,電流波形と同期して,超高速フレームレートカメラ画像を観測し,真空中のアルミナセラミック絶縁体上の負インパルス表面フラッシオーバの進展過程を調べた。実測結果より,フラッシュオーバの過程は,最初に電子がカソードから放出され,二次電子放出アバランシェがアルミナ表面に広がり,アノードに到達した。次に,導通経路がアノード付近に形成され,その導通経路が絶縁破壊へとつながった。表面フラッシュオーバの進展過程において,暗い領域がカソード周囲に形成されることを見出した。暗い領域を含め,進展機構はアルミナ上の過渡形成電荷に影響された。カソード周辺の過渡形成電荷は電気力線の入射角度を垂直から水平に変え,その入射角度変更に対応する電荷量は測定電流と良く一致した。

シソーラス用語： *フラッシュオーバ ,  *アルミナ ,  運動量 ,  *真空遮断器 ,  絶縁材料 ,  *二次電子放出 ,  沿面放電 ,  写真像 ,  波形 ,  絶縁破壊 ,  放電路 ,  絶縁体
準シソーラス用語： インパルス ,  カメラ画像 ,  電流波形 ,  表面放電

分類 (2件)： 開閉装置  (NB09030I) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 真空 ,  アルミナ ,  絶縁膜 ,  インパルス ,  フラッシュオーバ ,  進展 ,  過程