フォトトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164229
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017208
特許番号：特許第3589831号
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の導電型を有するエミッタ層、第2の導電型を有するベース層、および第1の導電型を有するコレクタ層をこの順番に積層した構造を含んでなり、前記エミッタ層、もしくは、前記エミッタ層および前記コレクタ層が、前記ベース層よりもバンドギャップエネルギーの大きな半導体からなるヘテロ接合フォトトランジスタにおいて、前記エミッタ層中、もしくは、前記エミッタ層に対し前記ベース層とは反対側部分、および、前記コレクタ層中、もしくは、前記コレクタ層に対しベース層とは反対側部分、の両方に互いに膜厚、もしくは組成の異なる光ガイド層となる半導体層を設け、上側の前記光ガイド層を下側の前記光ガイド層以下の厚さにし、前記光ガイド層となる半導体層を含む半導体積層構造全体が光導波路構造となるように構成し、かつ、前記光導波路を伝搬する光の導波モードがマルチモードとなるように前記半導体積層構造の各半導体層の膜厚および組成を設定したことを特徴とするフォトトランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平2-220478
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-311796 出願人：日本電信電話株式会社
半導体受光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-311801 出願人：日本電信電話株式会社

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審査官引用 (2件)

特開平2-220478
特開平2-220478

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