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J-GLOBAL ID:201302216153525460   整理番号:13A1882909

回路シミュレータを用いた誤点弧メカニズムの一検討

An Investigation of False Turn-on Mechanism with Circuit Simulator
著者 (9件):
資料名:
巻: EDD-13  号: 62-81  ページ: 39-44  発行年: 2013年10月21日 
JST資料番号: Z0910A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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GaN FETやSiC MOS FETなどの次世代パワーデバイスは,電力変換回路で発生するノイズに弱く,誤動作による誤点弧・誤消弧が懸念されている。本研究では,パワー半導体デバイス端子部分の寄生インダクタンスによるゲートの電位変動を中心とする調査を行ない,誤点弧の発生メカニズムとして,パワーデバイスのボディダイオードによるリカバリー電流が関係していることを実験およびシミュレーションに基く波形解析により明らかにした。このゲート電位変動の抑制法を3つ提案し,シミュレーションの結果,ゲート電位の変動が抑えられることが立証された。
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分類 (1件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (3件):
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