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J-GLOBAL ID：201202274815960645   整理番号：12A0858785

パワーエレクトロニクス機器 SiCデバイス搭載のパワーエレクトロニクス機器

Power Electronic Equipment Equipped with SiC Devices

著者 (3件)： 松本康 (富士電機 製品技研 パワエレ技術開発セ) ,  近藤靖 (富士電機 製品技研 パワエレ技術開発セ) ,  木村浩 (富士電機 電子デバイス研 次世代デバイス開発セ)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 85  号： 3  ページ： 255-259  発行年： 2012年05月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクス機器の革新的な小型,軽量,低損失化を実現するためには,SiC(炭化けい素)やGaN(窒化ガリウム)などワイドバンドギャップの材料を使用したパワー半導体の適用が有効である。汎用インバータにSi-IGBT・SiC-SBD半導体を用いたハイブリッドモジュールを搭載することで,インバータ部の損失を25%低減することが可能である。また,太陽光発電用パワーコンディショナにAll-SiCモジュールを搭載することで,主回路部の効率を99%に高めるとともに,装置全体の体積を従来機比で4分の1と大幅な小型化が実現できることを実証した。(著者抄録)

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  *炭化ケイ素 ,  *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  電力トランジスタ ,  *回路モジュール ,  損失 ,  小型化 ,  電子装置 ,  *インバータ ,  電力変換器 ,  ワイドギャップ半導体 ,  改変
準シソーラス用語： GaN ,  SiC ,  ハイブリッド型 ,  パワーコンディショナ ,  パワーモジュール ,  パワー半導体 ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (1件)： 電源回路  (NC05060Q)

引用文献 (5件)：

• (1) Tsuji,T.et al.“Experimental demonstration of 1200 V SiC-SBDs with Iower forward voltage drop at high temperature”.Proceedings of ICSCRM 2011,Tu-P-27,2011,p.205-208.
• (2) 中沢将剛ほか.si-IGBT・sic-SBDハイブリッドモジュール.富士時報.2011,vol.84,no.5,p.331-335.
• (3) Harada,S.et a1.“High performance SiC-IEMOSFET/SBD module”.Proceedings of ICSCRM 2011,MO-3 A-1,2011,p.52-57.
• (4) Horio,M.et al.”New Power Module Structure with Lower Thermal Impedance and High Reliability for SiC Devices”.Proceedings of PCIM Europe,2011,Proceeding CD,2011,p.229-234.
• (5) Ikeda,Y.et al.”lnvestigation on Wirebond-less Power Module Structure with High-Density Packaging and High reliability”,Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 2011,Proceeding CD,p.272-275.

タイトルに関連する用語 (2件)： パワーエレクトロニクス ,  SiC