文献

J-GLOBAL ID：201302249962698436   整理番号：13A1195572

表面活性化ボンディング利用低抵抗Si/III-V接合

Surface-activating-bonding-based low-resistance Si/III-V junctions

著者 (4件)： LIANG J. (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIDA S. (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  MORIMOTO M. (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 49  号： 13  ページ： 830-832  発行年： 2013年06月20日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ケイ素 ,  ヒ化ガリウム ,  *PN接合 ,  ボンディング【IC】 ,  電気抵抗 ,  ドーピング ,  濃度依存性 ,  Ohm接触 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： III-V族半導体 ,  InGaP ,  表面活性化

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面活性化 ,  ボンディング ,  低抵抗 ,  Si