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J-GLOBAL ID：201602257244005485   整理番号：16A0660618

熱アニール処理によるn-nおよびp-n Si/SiC接合の電気特性の改善

Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment

著者 (4件)： Liang J. (Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan) ,  Nishida S. (Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan) ,  Arai M. (New Japan Radio Co., Ltd., Fukuoka 2-1-1, Fujimino, Saitama 356-8510, Japan) ,  Shigekawa N. (Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 120  号： 3  ページ： 034504-034504-7  発行年： 2016年07月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *電気特性 ,  *熱処理 ,  電流電圧特性 ,  バイアス ,  因子 ,  静電容量 ,  電圧依存性 ,  電圧 ,  界面 ,  接合部 ,  ピン止め ,  表面準位 ,  イオン ,  電界放出 ,  *NN接合 ,  *PN接合
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 ,  界面準位 ,  逆バイアス ,  接合界面 ,  *熱アニール ,  熱イオン ,  表面活性化接合 ,  理想因子

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱アニール ,  Si ,  SiC ,  電気特性