特許

J-GLOBAL ID：201603003117691357

複合基板の製造方法および半導体結晶層形成基板の製造方法

発明者： 山本 武継 ,  青木 健志 ,  前田 辰郎 ,  三枝 栄子 ,  菊池 俊之 ,  小川 有人
出願人/特許権者： 住友化学株式会社 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013004618
公開番号（公開出願番号）：WO2014-020906
出願日： 2013年07月30日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：

単結晶層を有する半導体結晶層形成基板を用いた複合基板の製造方法であって、(a)半導体結晶層形成基板の単結晶層の上に犠牲層および半導体結晶層を順次に形成するステップと、(b)半導体結晶層形成基板側の表面である第1表面と、転写先基板側の表面であって第1表面に接することとなる第2表面とを向かい合わせ半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、(c)犠牲層をエッチングし、転写先基板に半導体結晶層を残した状態で半導体結晶層形成基板と転写先基板とを分離するステップとを有し、(c)ステップで分離した半導体結晶層形成基板を用いて、(a)から(c)の各ステップを繰り返す複合基板の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板の表面または裏面のうち一方の面に直接または中間層を介して支持された単結晶層とを有する半導体結晶層形成基板を用いた、複合基板の製造方法であって、 (a)前記半導体結晶層形成基板の前記単結晶層の上に、犠牲層および半導体結晶層を、前記単結晶層、前記犠牲層、前記半導体結晶層の順に形成するステップと、 (b)前記半導体結晶層形成基板に形成された層の表面である第1表面と、転写先基板または前記転写先基板に形成された層の表面であって前記第1表面に接することとなる第2表面と、を向かい合わせ、前記半導体結晶層形成基板と前記転写先基板とを貼り合わせるステップと、 (c)前記犠牲層をエッチングし、前記転写先基板に前記半導体結晶層を残した状態で前記半導体結晶層形成基板と前記転写先基板とを分離するステップと、を有し、 前記(c)ステップで分離した前記半導体結晶層形成基板を用いて、前記(a)から前記(c)の各ステップを繰り返す 前記転写先基板の上に前記半導体結晶層を有する複合基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/02 B