炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小出誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-184978
公開番号（公開出願番号）：特開2016-056071
出願日： 2014年09月11日
公開日（公表日）： 2016年04月21日
要約：

【課題】炭化ケイ素のオフ基板上へ表面荒れを抑制しながら炭化ケイ素の単結晶を成長させることが可能な方法を得る。【解決手段】炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に接触させながら回転させる炭化ケイ素の結晶の製造方法において、前記種結晶の結晶成長面はオフ角を有し、前記種結晶の回転中心の位置が、前記種結晶の中心位置に対して、前記オフ角の形成方向であるステップフロー方向の下流側にあることを特徴とする炭化ケイ素の結晶の製造方法を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に接触させながら回転させる炭化ケイ素の結晶の製造方法において、前記種結晶の結晶成長面はオフ角を有し、前記種結晶の回転中心の位置が、前記種結晶の中心位置に対して、前記オフ角の形成方向であるステップフロー方向の下流側にあり、前記種結晶の回転が、周期的に正回転と逆回転を繰り返すことを特徴とする炭化ケイ素の結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , C30B 19/10 , C30B 19/12

FI (3件)：

C30B29/36 A , C30B19/10 , C30B19/12

Fターム (20件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EC08 , 4G077ED01 , 4G077ED04 , 4G077EG05 , 4G077EG12 , 4G077EG14 , 4G077EH08 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA21 , 4G077QA26 , 4G077QA54 , 4G077QA62 , 4G077QA77

引用特許：

出願人引用 (5件)

SiC単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-185973 出願人：国立大学法人名古屋大学
SiC単結晶の製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-282405 出願人：トヨタ自動車株式会社
結晶成長装置及び結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-038954 出願人：日立化成株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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