Ga2O3系結晶膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：平田忠雄 , 岩永勇二 , 遠藤和光 , 伊藤浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-163703
公開番号（公開出願番号）：特開2017-041593
出願日： 2015年08月21日
公開日（公表日）： 2017年02月23日
要約：

【課題】表面の平滑性に優れ、かつ導電型不純物のイオン注入により導電性に優れた領域が形成されるGa2O3系結晶膜を形成することのできるGa2O3系結晶膜の形成方法を提供する。【解決手段】一実施の形態として、(010)面を主面とするGa2O3系基板10上に、590°C以上650°C以下の成長温度でアンドープのGa2O3系結晶膜12をエピタキシャル成長させる、Ga2O3系結晶膜の形成方法を提供する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

(010)面を主面とするGa2O3系基板上に、590°C以上650°C以下の成長温度でアンドープのGa2O3系結晶膜をエピタキシャル成長させる、 Ga2O3系結晶膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/363 , H01L 21/425 , H01L 21/20 , C30B 29/16 , C30B 23/08

FI (5件)：

H01L21/363 , H01L21/425 , H01L21/20 , C30B29/16 , C30B23/08 M

Fターム (21件)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DA05 , 4G077EA02 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA06 , 4G077SC02 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL08 , 5F103NN01 , 5F152LL09 , 5F152LM09 , 5F152MM02 , 5F152MM05 , 5F152NN01 , 5F152NN27 , 5F152NQ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

Ga2O3系結晶膜の成膜方法、及び結晶積層構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-265771 出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
紫外透明導電膜とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-182643 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛

引用文献：

審査官引用 (2件)

酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用
酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用

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