特許

J-GLOBAL ID：201503006890270893

Ga2O3系結晶膜の成膜方法、及び結晶積層構造体

発明者： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-265771
公開番号（公開出願番号）：特開2015-120620
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2015年07月02日
要約：

【課題】量産に十分な成長速度で、結晶品質や表面の平坦性に優れるGa2O3系結晶膜を成膜することのできるGa2O3系結晶膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されたGa2O3系結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、Ga2O3系基板10の面方位が(001)である主面11上に、750°C以上の成長温度でGa2O3系結晶膜12をエピタキシャル成長させる、Ga2O3系結晶膜12の成膜方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ga2O3系基板の面方位が(001)である主面上に、750°C以上の成長温度でGa2O3系結晶膜をエピタキシャル成長させる、 Ga2O3系結晶膜の成膜方法。

IPC (2件)：

C30B 29/16 ,  C23C 14/08

FI (2件)：

C30B29/16 ,  C23C14/08 J

Fターム (20件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB10 ,  4G077BB10 ,  4G077DA05 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB18 ,  4K029EA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高機能性Ga2O3単結晶膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-152984   出願人：日本軽金属株式会社, 国立大学法人京都大学
• 酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-264892   出願人：日本軽金属株式会社