文献

J-GLOBAL ID：201902243643952189   整理番号：19A2619030

酸素分圧によるHfO₂:Y/Si薄膜の配向と結晶構造の制御

著者 (7件)： 佐保勇樹 (大阪府大 工) ,  鎌田大輝 (大阪府大 工) ,  高田賢志 (大阪府大 工) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  芦田淳 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-C309-2  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに]強誘電体ゲート型トランジスタ(FeFET)は、超高密度次世代不揮発性メモリやニューロモルフィック素子への応用が期待されている[1]。強誘電体材料の中でもHfO2系強誘電体は、ドーピングや膜厚の効果に加え適量の酸素欠損を導入し直方...【本文一部表示】

シソーラス用語： 分圧 ,  *酸化ハフニウム ,  イットリウム ,  ケイ素 ,  FET【トランジスタ】 ,  結晶方位 ,  *結晶構造 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  X線回折
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  *二酸化ハフニウム ,  強誘電体ゲートFET ,  結晶配向 ,  PLD【蒸着】 ,  XRD分析

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素分圧 ,  HfO2 ,  Si薄膜 ,  配向 ,  結晶構造