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J-GLOBAL ID：202002223144613508   整理番号：20A2238478

成長時の酸素分圧がHfO₂:Y/Si薄膜の結晶構造や誘電特性に及ぼす影響

Effect on crystal structure and the dielectric properties of HfO₂:Y/Si films by oxygen partial pressure during deposition

著者 (4件)： 佐保勇樹 (大阪府大 工) ,  高田賢志 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14a-D419-1  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに] 強誘電体材料の中でもHfO2系強誘電体は、ドーピングや膜厚の効果に加え適量の酸素欠損を導入し直方晶相を安定化させることによって10nm以下の極薄膜においても強誘電性を示し[1]、CMOSプロセスとの適合性も高く注目を集めている...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  界面 ,  強誘電体 ,  *結晶構造 ,  電圧 ,  *薄膜 ,  *ケイ素 ,  強誘電性 ,  多結晶 ,  ドーピング ,  *酸化ハフニウム ,  斜方晶系 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *酸素分圧 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  酸素分圧 ,  HfO2 ,  Si薄膜 ,  結晶構造 ,  誘電特性