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J-GLOBAL ID：202102247147184093   整理番号：21A0697035

ALD法を用いて作成したSi直上Al:HfO₂準安定相の結晶化過程

Crystallization process of metastable Al-doped HfO₂ films directly on Si by atomic layer deposition

著者 (5件)： 宝栄周弥 (大阪府大 工) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  芦田淳 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10a-Z24-2  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【Introduction】2011年に強誘電性が確認されたHfO2は、従来の強誘電体とは異なり、極薄膜(<10nm)でも強誘電特性を示す1)。したがって、次世代メモリデバイスの高密度化に向けて大きな期待が寄せられている。また、原子層堆積法...【本文一部表示】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *結晶化 ,  焼なまし ,  *アルミニウム ,  *ケイ素 ,  白金 ,  強誘電性 ,  ドーピング ,  *酸化ハフニウム ,  斜方晶系 ,  単斜晶系 ,  前駆体 ,  ドーパント ,  製膜
準シソーラス用語： 窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： ALD ,  Si ,  直上 ,  Al ,  HfO2 ,  準安定相 ,  結晶化 ,  過程