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J-GLOBAL ID：202102259387660405   整理番号：21A0696407

YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の組成制御と欠陥構造の変化

Composition control and change in the defect structure of YbFe₂O₄ epitaxial thin films

著者 (6件)： 嶋本健人 (大阪府大 大学院) ,  三浦光平 (大阪府大 大学院) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 大学院) ,  吉村武 (大阪府大 大学院) ,  芦田淳 (大阪府大 大学院) ,  藤村紀文 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9a-Z07-7  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： RFe2O4(R:希土類)は、結晶内で三角格子を構成する同数のFe2+とFe3+が引き起こす電荷のフラストレーションにより、電子密度に極性が生じる電子強誘電体である[1]。我々はPLD法において、酸素添加しない気相中でターゲットからアブレー...【本文一部表示】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  *エピタクシー ,  吸収係数 ,  空間群 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  単結晶 ,  点欠陥 ,  電子密度 ,  *薄膜 ,  *イッテルビウム ,  酸素 ,  *鉄 ,  圧縮応力 ,  薄膜成長 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  組成制御 ,  欠陥構造