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J-GLOBAL ID：202202271741611299   整理番号：22A2505313

小型EV向け高電力密度インバータ実現に向けて低寄生インダクタンス・高放熱性能を両立するためのアルミ基板を用いたGaN-HEMT実装方法の提案

Proposal of GaN-HEMT mounting method using aluminum substrate to achieve both low parasitic inductance and high heat dissipation performance to realize high power density inverter for compact EVs

著者 (4件)： 竹原佑 (岡山大) ,  石原將貴 (岡山大) ,  梅谷和弘 (岡山大) ,  平木英治 (岡山大)
資料名： 電気学会研究会資料(Web)  (Papers of Technical Meeting, IEE Japan (Web))
号： SPC-22-143-171/MD-22-078-106 半導体電力変換研究会/モータドライブ研究会  ページ： 151-156 (WEB ONLY)  発行年： 2022年09月18日 
JST資料番号： U2358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高電力密度インバータを実現するために,アルミ基板を用いたGaN-HEMT実装方法を提案した。提案した構造で,GaN-HEMTを2つのアルミ基板に挟んで両側から放熱することによって,約1°C/W熱抵抗の放熱性能を達成した。さらに,スナバキャパシタを反対位置に配置することで,基板のアルミコアの渦電流が配線寄生インダクタンスを抑制した。提案した構造を用いたプロトタイプ3相フルブリッジインバータを作製し,この構造の有効性を実験により確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エネルギー密度 ,  電気自動車 ,  *インバータ ,  *インダクタンス ,  *熱放射 ,  基板 ,  *HEMT ,  熱抵抗 ,  電力トランジスタ
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  アルミ基板 ,  *フルブリッジインバータ ,  *寄生インダクタンス ,  高電力密度 ,  放熱 ,  *放熱性能

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  電気自動車  (QG07020B)

引用文献 (4件)：

• Millan, Jose, et al. ′′A survey of wide bandgap power semiconductor devices.′′ IEEE transactions on Power Electronics 29.5 (2013): 2155-2163.
• Kangping, Wang, et al. ′′An optimized layout with low parasitic inductances for GaN HEMTs based DC-DC converter.′′ 2015 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC). IEEE, 2015.
• Ishibashi, Hiroki, et al. ′′An analysis of false turn-on mechanism on high-frequency power devices.′′ 2015 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE). IEEE, 2015.
• Umetani, Kazuhiro, Keisuke Yagyu, and Eiji Hiraki. ′′A design guideline of parasitic inductance for preventing oscillatory false triggering of fast switching GaN-FET.′′ IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering 11 (2016): S84-S90.

タイトルに関連する用語 (10件)： EV ,  高電力密度 ,  インバータ ,  寄生インダクタンス ,  放熱性能 ,  アルミ ,  GaN ,  HEMT ,  実装 ,  提案