研究者
J-GLOBAL ID：200901004478805881   更新日: 2024年01月30日

赤堀 誠志

アカボリ マサシ | Akabori Masashi
所属機関・部署：
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター ナノマテリアルテクノロジーセンター

北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター ナノマテリアルテクノロジーセンター について


職名： 准教授
ホームページURL (1件)： http://www.jaist.ac.jp/ms/labs/yamada/index.html
研究分野 (1件)： 電気電子材料工学
研究キーワード (3件)： ナノ構造 ,  エピタキシャル成長 ,  化合物半導体
競争的資金等の研究課題 (17件)：
  • 2021 - 2024 縦型スピンデバイスに向けた(111)B上MnAs/III-V/MnAsヘテロ構造
  • 2020 - 2023 InGaAs量子井戸2層電子系による多値論理素子開発の研究
  • 2018 - 2021 (111)B上MnAs/III-V系ヘテロ構造における界面構造と面内スピン伝播
  • 2013 - 2016 Datta-Das型スピン FETを用いた超省エネルギー論理回路実用化の研究
  • 2012 - 2015 領域選択形成したInAsナノワイヤ/強磁性体複合構造によるスピンデバイス
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論文 (96件)：
  • Ryota Negishi, Takuya Nakagiri, Masashi Akabori, Yoshihiro Kobayashi. Promotion of the structural repair of graphene oxide thin films by thermal annealing in water-ethanol vapor. Thin Solid Films. 2023. 775. 139841-139841
  • Keigo Teramoto, Ryoma Horiguchi, Wei Dai, Yusuke Adachi, Masashi Akabori, Shinjiro Hara. Tailoring Magnetic Domains and Magnetization Switching in CoFe Nanolayer Patterns with Their Thickness and Aspect Ratio on GaAs (001) Substrate. physica status solidi (b). 2022. 2100519-2100519
  • Takuya Iwasaki, Shu Nakamura, Osazuwa G. Agbonlahor, Manoharan Muruganathan, Masashi Akabori, Yoshifumi Morita, Satoshi Moriyama, Shinichi Ogawa, Yutaka Wakayama, Hiroshi Mizuta, et al. Room-temperature negative magnetoresistance of helium-ion-irradiated defective graphene in the strong Anderson localization regime. Carbon. 2021. 175. 87-92
  • Minh Nhat Dang, Thanh Hai Nguyen, To Van Nguyen, Tran Viet Thu, Hoang Le, Masashi Akabori, Nobuaki Ito, Hai Yen Nguyen, Trong Lu Le, Tuan Hong Nguyen, et al. One-pot synthesis of manganese oxide/graphene composites via a plasma-enhanced electrochemical exfoliation process for supercapacitors. Nanotechnology. 2020. 31. 34. 345401-345401
  • Hiroto Oomae, Kai Sato, Miyuki Shinoda, M. I. Faris bin Ishak, Hideyuki Toyota, Masashi Akabori, Hidetoshi Kizaki, Shinichi Nakamura, Joel T. Asubar, Naotaka Uchitomi. Epitaxial growth and characterization of Cr-doped ZnSnAs2 thin films on InP substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 3. 030601-030601
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MISC (26件)：
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講演・口頭発表等 (125件)：
  • Sheet Electron Density Dependence of Electron Mobility Anisotropy in In0.75Ga0.25As/InP Two-Dimensional Electron Gas
    (2016 Compound Semiconductor Week, MoP-ISCS-060, Toyama, Japan, June 26-30 (2016). 2016)
  • Subband transport and quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs 2DEG bilayer with surface inversion layer
    (9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P1-24, Kobe, Japan, August 8-11 (2016). 2016)
  • Measurement of resonant spin Hall effect in InGaAs 2DEG bilayer system
    (9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids, P2-13, Kobe, Japan, August 8-11 (2016). 2016)
  • GaAs barrier insertion into MnAs/InAs hybrid heterostructures on GaAs(111)B for lateral spin valve device application
    (第77回応用物理学会学術講演会、13p-P8-41、新潟、9/13-16 (2016). 2016)
  • Selective area growth of well-ordered ZnO nanowires on (111) oriented masked substrates by electrochemical method
    (第77回応用物理学会学術講演会、15a-P9-6、新潟、9/13-16 (2016). 2016)
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Works (1件)：
  • スピントランジスタ量子計算素子プロジェクト
    2003 -
学位 (1件)：
  • 北海道大学学士(工学)(1995), 北海道大学修士(工学)(1997), 北海道大学博士(工学)(2000)
経歴 (2件)：
  • 1997 - 2000 日本学術振興会特別研究員DC1(1997-2000), 日本学術振興会特別研究員PD(2000-2002)
  • 1997 - 2000 Research fellow of the Japan Society for the Promotion of Science [DC1] (1997-2000), Research fellow of the Japan Society for the Promotion of Science [PD] (2000-2002)
委員歴 (4件)：
  • 日本応用物理学会 会員
  • 日本物理学会 会員
  • Japan Applied Physics Society Member
  • The Physical Society of Japan Member
所属学会 (7件)：
日本応用物理学会 ,  日本物理学会 ,  Japan Applied Physics Society ,  The Physical Society of Japan ,  電子情報通信学会 ,  日本応用物理学会 ,  日本物理学会
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