Negishi Ryota について
Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan について
Wei Chaopeng について
Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan について
Yao Yao について
Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan について
Ogawa Yui について
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa, 243-0198, Japan について
Akabori Masashi について
Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Nomi, Ishikawa, 923-1292, Japan について
Kanai Yasushi について
The Institute of the Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan について
Matsumoto Kazuhiko について
The Institute of the Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan について
Taniyasu Yoshitaka について
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa, 243-0198, Japan について
Kobayashi Yoshihiro について
Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan について
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics について
結晶成長 について
移動度 について
グラフェン について
Hall効果 について
多層膜 について
キャリア移動度 について
積層構造 について
被覆層 について
シート抵抗 について
バンド構造 について
FET【トランジスタ】 について
スクリーニング について
化学蒸着 について
幾何学 について
多層グラフェン について
キャリア輸送特性 について
結晶成長 について
グラフェン について
モビリティ について
多層グラフェン について
トランジスタ について
炭素とその化合物 について
その他の無機化合物の電気伝導 について
輸送特性 について
多層グラフェン について