村中司

ムラナカツトム | Tsutomu Muranaka

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (1件)：半導体工学、結晶工学、固体電子デバイス、半導体ナノ構造、II-VI族化合物および関連材料

競争的資金等の研究課題 (8件)：

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論文 (31件)：

Motohito Hori, Yoshinari Ikeda, Tomoyuki Yamazaki, Tsutomu Muranaka, Yoichi Nabetani. Research on Dielectric Breakdown Voltage and Electric Field Strength at Triple Junctions on Insulating Substrates for Power Modules. Journal of The Japan Institute of Electronics Packaging. 2023. 26. 1. 167-171
Hayato Nakano, Tsutomu Muranaka, Yoichi Nabetani. Minimizing Thermal Imbalance of RC-IGBT by Bonding Technology. IEEJ Journal of Industry Applications. 2022. 11. 6. 771-778
Motohito Hori, Katsumi Taniguchi, Yuichiro Hinata, Mai Saitou, Yoshinari Ikeda, Tomoyuki Yamazaki, Tsutomu Muranaka, Yoichi Nabetani. Relationship between Electric Field Strength Distribution and Dielectric Breakdown Points in Insulating Substrates of Power Modules. IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials. 2022. 142. 7. 328-334
Lianhua Jin, Sota Mogi, Tsutomu Muranaka, Eiichi Kondoh, Bernard Gelloz. Characterization of thin films from reflection and transmission ellipsometric parameters. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. 1. 018004-018004
Hayato Nakano, Tsutomu Muranaka, Yoichi Nabetani. Improvement of Thermal Resistance by Cooling Effect of RC-IGBT Non-operative Region. IEEJ Transactions on Industry Applications. 2021. 141. 11. 889-894

MISC (8件)：

宇津木康史, 高木聡, 大原健, 村中司, 鍋谷暢一, 松本俊, 加藤孝正. GaAs(001)基板上へのγ-In_2Se_3のMBE成長. 日本結晶成長学会誌. 2006. 33. 4. 275-275
福士哲夫, 木村健, 村中司, 長谷川英機. MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2004. 103. 630. 17-22
村中司, 伊藤章, 江潮, 長谷川英機. InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2002. 101. 618. 53-58
JIANG Chao, MURANAKA Tsutomu, HASEGAWA Hideki. Structural and Optical Properties of 10nm-Class InGaAs Ridge Quantum Wire Arrays with Sub-Micron Pitches Grown by Selective MBE on Patterned InP Substrate. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2001. 2001. 318-319
村中司, 伊藤章, 江潮, 長谷川英機. MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2001. 100. 641. 17-23

特許 (1件)：

講演・口頭発表等 (68件)：

フレキシブルPET基板上にプラズマ支援分子線堆積したGZO透明導電膜の結晶構造評価
(第4回結晶工学xISYSE合同研究会 2021)
フレキシブルPET基板上GZO透明導電膜のプラズマ支援分子線堆積における添加ガス効果
(第4回結晶工学xISYSE合同研究会 2021)
ロール・ツー・ロール式プラズマ支援堆積法によるGZO透明導電膜形成
(SEMICON JAPAN 2021, Academia 2021)
プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (7)
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (6)
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)

学歴 (2件)：

学位 (2件)：

受賞 (1件)：

所属学会 (2件)：

応用物理学会結晶工学分科会 , 電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ

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村中 司