研究者
J-GLOBAL ID:200901019675819859
更新日: 2023年10月01日
小泉 淳
コイズミ アツシ | Koizumi Atsushi
研究分野 (5件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (5件):
semiconductor engineering
, 半導体フォトカソード
, 半導体材料
, 半導体物性
, 半導体工学
競争的資金等の研究課題 (4件):
2005 - SiCの物性評価
超高真空走査型トンネル顕微鏡による半導体ヘテロ接合ヘキ開面の評価
有機金属気相成長による化合物半導体材料、デバイス
-
MISC (196件):
N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, A. Koizumi, K. Uchida, S. Nozaki. Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. 2011. 58. 1. 305-313
N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, A. Koizumi, K. Uchida, S. Nozaki. Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. 2011. 58. 1. 305-313
In-situ etching of GaAs capping layer on InAs quantum dots by CBrCl
3
. EMS. 2011. Th1-11
Atsushi Koizumi, Hiroshi Imanishi, Kazuo Uchida, Shinji Nozaki. In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2011. 315. 1. 106-109
Atsushi Koizumi, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Tsunenobu Kimoto, Kazuo Uchida, Shinji Nozaki. Compensation-Dependent Carrier Transport of Al-Doped p-Type 4H-SiC. SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010. 2011. 679-680. 201-+
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経歴 (6件):
2016/04 - 現在 株式会社Photo electron Soul チーフエンジニア
2012/01 - 2016/03 大阪大学 大学院工学研究科 助教
2010/04 - 2012/01 - 電気通信大学 情報理工学研究科 助教
2007 - 2010 電気通信大学電気通信学部 助教
2006 - 2007 京都大学工学研究科電子工学専攻 産学官連携研究員
2005 - 京都大学国際融合創造センター 産学官連携研究員
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委員歴 (2件):
日本結晶成長学会 正会員
応用物理学会 正会員
所属学会 (3件):
日本結晶成長学会
, 応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
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