研究者
J-GLOBAL ID：200901028455899192   更新日: 2024年09月08日

永井 武彦

ナガイ タケヒコ | Nagai Takehiko
所属機関・部署：
国立研究開発法人産業技術総合研究所 省エネルギー研究部門 電機システムグループ

国立研究開発法人産業技術総合研究所 省エネルギー研究部門 電機システムグループ について


ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T62015689
研究分野 (3件)： 基礎物理化学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (3件)： 表面・界面物性 ,  光物性 ,  光電子分光
競争的資金等の研究課題 (1件)：
  • 2021 - 2024 多元系エピタキシャル半導体薄膜を用いた多様な欠陥の評価と制御
論文 (36件)：
  • Fumio Kawamura, Takehiko Nagai, Hitoshi Tampo. Cu2O single crystal growth using CuCl flux and bandgap evaluation. Materials Letters. 2024. 365
  • Fumio Kawamura, Yelim Song, Hidenobu Murata, Hitoshi Tampo, Takehiko Nagai, Takashi Koida, Masataka Imura, Naoomi Yamada. Tunability of the bandgap of SnS by variation of the cell volume by alloying with A.E. elements. SCIENTIFIC REPORTS. 2022. 12. 1. 7434
  • Takehiko Nagai, Jiro Nishinaga, Hitoshi Tampo, Shinho Kim, Kazuhiro Hirayama, Tatsuo Matsunobe, Guanzhong Chen, Yuya Ide, Shogo Ishizuka, Hajime Shibata, et al. Impacts of KF Post-Deposition Treatment on the Band Alignment of Epitaxial Cu(In,Ga)Se2 Heterojunctions. ACS Applied Materials & Interfaces. 2022. 14. 14. 16780-16790
  • Changwook Jeong, Takehiko Nagai, Shogo Ishizuka, Hitoshi Tampo, Shibata Hajime, Shinho Kim, Yangdo Kim. Examination of Suitable Bandgap Grading of Cu(InGa)Se 2 Bottom Absorber Layers for Tandem Cell Application. physica status solidi (a). 2021
  • Ilyeong Kwon, Takehiko Nagai, Shogo Ishizuka, Hitoshi Tampo, Hajime Shibata, Shinho Kim, Yangdo Kim. Improving the performance of pure sulfide Cu(InGa)S2 solar cells via injection annealing system. Current Applied Physics. 2021. 22. 71-76
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MISC (12件)：
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学位 (1件)：
  • 工学
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