研究者
J-GLOBAL ID：200901050672333780
更新日: 2020年05月15日
大山 忠司
オオヤマ チュウジ | Ohyama Tyuzi
研究分野 (1件)：
半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (2件)：
半導体物理学
, Semiconductor Physics
競争的資金等の研究課題 (5件)：
光検知サイクロトロン共鳴の研究
化合物半導体における遠赤外磁気光吸収の研究
Resonant Faraday Rotation in Semiconductors
Optically Detected Cyclotron Resonance
Far-infrared Magneto-optical Absorption in Compound Semiconductors
MISC (69件)：
M Suzuki, K Fujii, T Ohyama, H Kobori, N Kotera. Far-infrared resonant Faraday effect in semiconductors. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN. 2003. 72. 12. 3276-3285
Y Harada, H Nakata, T Ohyama, K Ohkawa, M Isshiki. Instability of Cl-related deep defects in ZnSe. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 2A. 514-517
Configuration of Li Acceptor in ZnSe determined by Infrared magneto-absorption measurements. Phys. Rev. B. 2002. B65, pp.193201-1-193201-3
Determination of Rashba Spin Splitting in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs by means of Far-Infrared Magneto-Optical Absorption. Physica E. 2002. E12 , pp.432-434
Crossover from Positive- to Negative-Magnetoresistance with the Upper-Hubbard Band Transport in the Variable-Range Hopping Regime of Si:Sb. Physica B. 2002. B 324, pp.1-8
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書籍 (2件)：
実験物理学講座8巻:分光測定 (共著)
丸善株式会社 1999
Far-infrared absorption, cyclotron resonance and electron paramagnetic resonance measurements of silicon carbide
Inst. Physics Conference Series 1996
学歴 (2件)：
- 1964 大阪大学 理学部 物理学
- 1964 大阪大学
学位 (1件)：
博士(理学) (大阪大学)
経歴 (1件)：
福井工業大学 教授
委員歴 (1件)：
1990 - 日本赤外線学会 評議員
所属学会 (3件)：
日本赤外線学会
, 応用物理学会
, 日本物理学会
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