半導体における遠赤外共鳴Faraday効果

SUZUKI M; FUJII K; OHYAMA T; KOBORI H; KOTERA N

文献

J-GLOBAL ID：200902203304724765 整理番号：04A0032961

半導体における遠赤外共鳴Faraday効果

Far-Infrared Resonant Faraday Effect in Semiconductors

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資料名：
巻： 72 号： 12 ページ： 3276-3285 発行年： 2003年12月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

磁場の印加された物質中を光が伝播する場合,光とキャリアとの相...

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電気光学効果,磁気光学効果 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

引用文献 (22件)：

1) T. H. Lee and H. Y. Fan: Phys. Rev. 165 (1968) 927.
2) V. V. Mussil, V. V. Karmazin and V. K. Miloslavskii: Sov. Phys. Solid State 14 (1973) 3004.
3) L. P. Zverev, O. E. Rut and R. V. Emilin: Sov. Phys. Semicond. 14 (1980) 223.
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5) H. J. Jiménez-González, R. L. Aggarwal and G. Favrot: Phys. Rev. B 49 (1994) 4571.

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