研究者
J-GLOBAL ID:200901056044977480   更新日: 2024年09月06日

橋詰 保

ハシヅメ タモツ | Hashizume Tamotsu
所属機関・部署:
職名: 特任教授
研究分野 (2件): 薄膜、表面界面物性 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (3件): 半導体デバイス ,  Semiconductor device ,  Semiconductor nanostructure
競争的資金等の研究課題 (38件):
  • 2020 - 2023 過酷環境エレクトロニクスにむけた窒化物半導体集積回路プロセス技術の開発
  • 2020 - 2023 強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用
  • 2019 - 2022 窒素極性GaN系MIS-HEMTのパワーデバイス応用に向けた研究
  • 2016 - 2021 総括班
  • 2017 - 2020 自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用
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論文 (207件):
  • Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, et al. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 2021. 39. 6
  • Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, et al. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2021. 39. 6
  • Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Ryota Ochi, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya, et al. (Invited) Study of HfO2-Based High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions. 2021. 104. 4. 113-120
  • Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume. Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 12. 121102-121102
  • Tamotsu Hashizume, Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato. HfSiOx-gate GaN MOS-HEMTs for RF power transistor. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2021. 11686
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MISC (267件):
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書籍 (1件):
  • 高周波半導体材料・デバイスの新展開
    シーエムシー出版 2006
学位 (1件):
  • 工学博士 (北海道大学)
経歴 (14件):
  • 2022/08 - 現在 名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任教授
  • 2016/04 - 2022/03 名古屋大学 未来材料・システム研究所 教授(クロスアポイントメント制度)
  • 2004/04 - 2022/03 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 教授
  • 2014/04 - 2020/03 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター センター長
  • 2014 - 2020 Director, RCIQE, Hokkaido Univ.
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委員歴 (4件):
  • 2012/04 - 2014/03 応用物理学会 北海道支部長
  • 2012/04 - 2014/03 応用物理学会 理事
  • 2009/04 - 2011/03 電子情報通信学会電子デバイス専門委員会 委員長
  • 2007 - 電子情報通信学会 電子デバイス研究会 副委員長
受賞 (6件):
  • 2018/09 - 応用物理学会 フェロー
  • 2016/09 - 2016 Paper Award, The Japan Society of Applied Physics
  • 2016/09 - 応用物理学会 優秀論文賞
  • 2014/05 - CS-MANTECH 2013 Paper Awards (He Bong Kim Award)
  • 2014/04 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
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所属学会 (2件):
電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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