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J-GLOBAL ID：201502260392482998   整理番号：15A0192709

AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響

Surface charging effects in AlGaN/GaN HEMTs induced by off-stress bias

著者 (2件)： 西口賢弥 (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  橋詰保 (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 336(ED2014 73-97)  ページ： 91-95  発行年： 2014年11月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HEMTは高出力,高効率動作素子として研究されてきた。しかし,高電圧動作,オンオフスイッチング動作時に生じる一時的なドレイン電流減少(電流コラプス)のため,信頼性に課題が残されている。Veturyらの提案した仮想ゲートモデルによれば,電流コラプスの原因はゲート端直近のゲート-ドレイン間アクセス領域のAlGaN表面帯電である。しかし,その表面帯電領域のI-V特性に与える影響については報告が少ない。本研究では,デュアルゲート構造を用いることにより,表面帯電のI-V特性への影響についての評価を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *帯電 ,  *表面電荷 ,  *HEMT ,  高電圧 ,  *電流電圧特性 ,  信頼性 ,  ゲート【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  表面帯電 ,  電流コラプス ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN ,  GaN ,  デュアルゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (9件)：

• U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, and Y. -F. Wu, ”GaN-based RF power devices and amplifiers.” Proceedings of the IEEE, 96, 2, pp.287-305, February (2008).
• R. Vetury, N. Q. Zhan, S. Keller, and U. K. Mishra, ”The impact of surface states on the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HFETs.” Electron Devices, IEEE Transactions on, 48, 3, pp.560-566, March (2001).
• R. J. Trew, D. S. Green, and J. B. Shealy,
• ”AlGaN/GaN HFET Reliability.” IEEE Microwave Mag. 10[4], pp.116-127, June (2009).
• J. Kotani, M. Tajima, S. Kasai, and T. Hashizume, ”Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures.” Appl. Phys. Lett. 91. 9, pp.093501-093501-3, (2007).

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  表面帯電