研究者
J-GLOBAL ID：200901064084165774   更新日: 2024年06月23日

石谷 善博

イシタニ ヨシヒロ | Ishitani Yoshihiro
所属機関・部署：
千葉大学 大学院工学研究院

千葉大学 大学院工学研究院 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://www.photonics.te.chiba-u.jp
研究分野 (3件)： 薄膜、表面界面物性 ,  光工学、光量子科学 ,  結晶工学
研究キーワード (7件)： フォノン輸送制御・イメージング ,  フォノン系量子干渉 ,  フォノン・キャリアダイナミクス ,  窒化物半導体 ,  半導体ナノ構造 ,  半導体光デバイス ,  光物性
競争的資金等の研究課題 (15件)：
  • 2024 - 2027 光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御
  • 2021 - 2022 半導体-金属マイクロ構造からの縦光学フォノン共鳴赤外放射の量子干渉による効率的取出し
  • 2021 - ヘテロ結晶接合界面のフォノン輸送解析のための時空間分解ラマン散乱イメージング開拓
  • 2016 - 2021 フォノン科学による特異構造3次元分光評価と応用欠陥物性
  • 2017 - 2020 フォノン機能制御による窒化物半導体光素子の基盤科学技術開拓
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論文 (141件)：
  • Thee Ei Khaing Shwe, Tatsuya Asaji, Daisuke Iida, Mohammed Najmi, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani. Local augmentation of phonon transport at GaInN/GaN heterointerface by introducing a graded variation of InN mole fraction. Applied Physics Letters. 2024
  • Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides. SPIE, Gallium Nitride Materials and Devices XIX. 2024. 12886. 1288605
  • Thee Ei Khaing Shwe, Tatsuya Asaji, Ryota Kimura, Daisuke Iida, Mohammed A. Najmi, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani. Photoluminescence emission efficiency analysis methodology by integrating Raman spectroscopy of the A1(LO) and E2(high) phonons in a GaInN/GaN heterostructure. Physica Status Solidi B. 2024
  • Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Koichi Seimiya, Thee Ei Khaing Shwe, Tatsuya Asaji, Yoshihiro Ishitani. Damping effect of longitudinal optical phonon-plasmon coupling on thermal radiation from surface micro-gratings on direct and indirect electronic transition type semiconductors. Applied Physics Letters. 2024. 124. 032102 -1-032102 -6
  • Hnin Lai Lai Aye, Bojin Lin, Ikuya Suzuki, Yoshihiro Ishitani. Distinctive features of mesa-type metal/dielectric surface grating structures assisting resonant enhancement of thermal emission at longitudinal- optical-phonon energy. Physica Status Solidi A. 2023. 2300584-1-http://doi.org/10.1002/pssa.202300584 -10
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MISC (20件)：
  • Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, et al. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58
  • 今井 大地, 石谷 善博, 王 新強, 吉川 明彦. 26pKA-2 窒化インジウムにおけるフォノン放出を伴う非輻射再結合(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 2. 859-859
  • 今井 大地, 石谷 善博, 王 新強, 草部 一秀, 吉川 明彦. InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2012. 112. 327. 103-108
  • 草部 一秀, 石谷 善博, 吉川 明彦. InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2009. 109. 288. 79-82
  • 草部 一秀, 石谷 善博, 吉川 明彦. InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開. 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料. 2009. 109. 289. 79-82
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特許 (1件)：
  • 赤外光素子
書籍 (4件)：
  • 2020年度版 薄膜作製応用ハンドブック
    NTS 2020
  • 電気数学
    実教出版 2008
  • Wide Bandgap Semiconductors
    Springer 2007
  • ワイドギャップ半導体光・電子デバイス
    森北出版 2006
講演・口頭発表等 (43件)：
  • Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides
    (SPIE Photonics West 2024)
  • Phonon transport analysis by simultaneous irradiation of two laser beams in microscopic Raman spectroscopy
    (フォノンエンジニアリング研究会 2021)
  • Analysis of LO phonon properties in III-nitrides: interaction with carriers and microscopic analysis
    (SPIE Photonics West 2021)
  • Longitudinal Optical Phonon Resonant THz - Mid Infrared Radiation From Surface Metal-Semiconductor Microstructures
    (IRMMW-THz 2020 2020)
  • Local heat energy transport analysis in GaInN/GaN heterostructures by microscopic Raman imaging exploiting simultaneous irradiation of two laser beams
    (ASME InterPACK2020 2020)
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学歴 (2件)：
  • - 1991 京都大学 工学研究科 物理工学専攻
  • - 1989 京都大学 工学部 物理工学科
学位 (2件)：
  • 工学修士 (京都大学)
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (6件)：
  • 2019/04 - 現在 千葉大学 大学院 工学研究院 基幹工学専攻 電気電子工学コース 教授
  • 2010/04 - 2019/03 千葉大学 大学院 工学研究科 電気電子工学コース 教授
  • 2007/04 - 2010/03 千葉大学工学研究科 准教授
  • 2001/03 - 2007/03 千葉大学工学部 助教授
  • 1996/10 - 2001/02 広島大学工学部 助手
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委員歴 (17件)：
  • 2021/04 - 現在 ワイドギャップ半導体学会 学会委員 企画委員
  • 2021 - 現在 ICNS2023 プログラム委員会委員
  • 2019 - 現在 International Workshop on Nitride Semiconductors 2022(Berlin, Germany) プログラム委員
  • 2016/04 - 現在 千葉市産業振興財団 千葉市事業可能性評価委員会
  • 2001/04 - 2021/03 日本学術振興会第162委員会 委員
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受賞 (7件)：
  • 2020/12 - 応用物理学会フォノンエンジニアリング研究グループ第4回研究会 優秀ポスター賞 LO phonon resonant mid-IR emission from surface-metal structures on indirect electronic transition type semiconductors
  • 2020/12 - 応用物理学会フォノンエンジニアリング研究グループ第4回研究会 優秀ポスター賞 Analysis of phonon transport at GaInN/GaN heterointerfaces by Raman spectroscopy using simultaneous irradiation of two lasers
  • 2019/07 - フォノンエンジニアリング研究会 ポスター賞 価電子帯間遷移-2種LOフォノン系における量子干渉の理論解析
  • 2016/09 - 応用物理学会 優秀論文賞
  • 2016 - 第8回窒化物半導体結晶成長講演会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 (2016) 研究奨励賞
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所属学会 (3件)：
日本結晶学会 ,  応用物理学会 ,  日本物理学会
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