研究者
J-GLOBAL ID：200901088164582240
更新日: 2021年10月21日
浅見 誠治
アサミ セイジ | Asami Seiji
所属機関・部署：
旧所属 仙台電波工業高等専門学校 電子工学科
旧所属 仙台電波工業高等専門学校 電子工学科 について
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職名：
教授
研究分野 (3件)：
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (6件)：
電子デバイス・機器工学
, 表面界面物性
, 電子材料工学
, Electron Devices and Apparatus Engineering
, Surface Physics
, Electronic Materials Engineering
競争的資金等の研究課題 (4件)：
システムLSIの設計試作
電子材料の分析評価
Design and Trial Manufacture of System LSI
Surface analysis of electronic materials
MISC (7件)：
Hideki Nakazawa, Maki Suemitsu, Seiji Asami. Gas-source MBE of SiC/Si using monomethylsilane. Thin Solid Films. 2000. 369. 1. 269-272
Formation of High Quality SiC on Si(100)at 900°C using Monomethylsilane Gas-Source MBE. Materials Science Forum. 2000. 338-342. 269
オージェ電子分光法によるSi-Ge系結晶とSi酸化膜の定量分析. 仙台電波工業高等専門学校研究紀要. 1996. 26. 9
Quantitative analysis of Si-Ge mixed crystals and silicon oxide films by Auger electron Spectroscopy. Research Reports of Sendai National College of Technology. 1996. 26. 9
Surface Chemistry Basis for Kinetically Self-limited Epitaxial Growth from Si
2
H
6
/Ge
2
H
6
Mixtures 「(共著)」. Topical Conference on the Synthesis, Analysys and Growth of Electronic Materials (AIChE National Meeting). 1994
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書籍 (2件)：
アナログ ディジタル変換 - コンピュータ回路工学論(4)「(共著)」
日刊工業新聞社 1995
論理回路の基礎-コンピュータ回路工学編(]G0024[) 「(共著)」
日刊工業新聞社 1993
学歴 (4件)：
- 1968 東北大学 工学研究科 電子工学
- 1968 東北大学
- 1966 東北大学 工学部 電子工学科
- 1966 東北大学
学位 (1件)：
工学修士
所属学会 (2件)：
日本表面科学会
, 応用物理学会
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