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J-GLOBAL ID：200902123927684175   整理番号：00A0765169

Formation of High Quality SiC on Si(100) at 900°C using Monomethylsilane Gas-Source MBE.

著者 (3件)： NAKAZAWA H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ASAMI S (Sendai National Coll. Technol., Sendai, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 338/342  号： Pt.1  ページ： 269-272  発行年： 2000年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  Si ,  MBE