研究者

J-GLOBAL ID：200901091245675368 更新日: 2020年08月29日

武藤俊一

ムトウシュンイチ | Muto Shunichi

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (2件)：結晶工学 , 応用物性

競争的資金等の研究課題 (2件)：

半導体微細構造の作製と物性の研究
Study on Fabrication and Physics of Semiconductor Microstructure

MISC (32件)：

H Sasakura, S Muto, T Ohshima. Quantum gates using spin states of triple quantum dot. PHYSICA E. 2001. 10. 1-3. 458-462
Lattice deformation and interdiffusion of InAs quantum dots on GaAs(100). J. Appl. Phys. 2001. 89. 1. 160-164
Numerical simulation of electron diffraction through a narrow constriction(共著). J. Appl. Phys. 1999. 86. 11. 6249-6255
Electron spin-relaxation dynamics in GaAs/AlGaAs quantum wells and InGaAs/InP quantum wells(共著). Jpn. J. Appl. Phys. 1999. 38. 8. 4680-4681
Exchange Interaction of Optically Created Electrons of Coupled Quantum Dots「(共著)」. Jpn.J.Appl.Phys. 1999. 38. 8B. L917-L919

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学位 (2件)：

博士(理学)
修士(理学)

受賞 (1件)：

1993 - 電子情報通信学会賞(論文賞)

所属学会 (3件)：

電子情報通信学会 , 日本物理学会 , 応用物理学会

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