研究者
J-GLOBAL ID：200901094817046021
更新日: 2024年12月18日
森川 滝太郎
モリカワ タキタロウ | Morikawa Takitarou
所属機関・部署：
旧所属 東洋大学 工学部 電子情報工学科
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職名：
教授
研究分野 (1件)：
電気電子材料工学
研究キーワード (2件)：
レーザ利用材料処理
, Laser-Aided Materials Processing
競争的資金等の研究課題 (2件)：
2002 - 2006 発光デバイスに関する研究
2002 - 2006 Study on Light Emitting Devices
MISC (77件)：
T Hanajiri, M Niizato, K Aoto, T Toyabe, Y Nakajima, T Morikawa, T Sugano. Scaling rules for SOI MOSFETs operating in the fully inverted mode. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2004. 48. 10-11. 1943-1946
Y Nakajima, K Sasaki, T Hanajiri, T Toyabe, T Morikawa, T Sugano. Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional device simulation. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2004. 24. 1-2. 92-95
T Hanajiri, K Aoto, T Hoshino, M Niizato, Y Nakajima, T Toyabe, T Morikawa, T Sugano, Y Akagi. An approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices, covering the whole operation region. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE. 2004. 30. 3-4. 235-241
M Ishii, S Komuro, T Morikawa. Study on atomic coordination around Er doped into anatase- and rutile-TiO2: Er-O clustering dependent on the host crystal phase. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2003. 94. 6. 3823-3827
H Uchiyama, H Aizawa, T Katsumata, S Komuro, T Morikawa, E Toba. Fiber-optic thermometer using Cr-doped YAlO3 sensor head. REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS. 2003. 74. 8. 3883-3885
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Works (2件)：
光エレクトロニクス材料に関する研究
1990 - 1995
Study on opto-electronic materials
1990 - 1995
学歴 (4件)：
- 1968 東京大学 工学系研究科 電子工学
- 1968 東京大学
- 1963 東京大学 工学部 電子工学
- 1963 東京大学
学位 (2件)：
工学博士 (東京大学)
工学修士 (東京大学)
経歴 (2件)：
1968 - 1986 電子技術総合研究所 技官
1968 - 1986 Electro-Technical Laboratory, Research Staff
受賞 (1件)：
1972 - 電子通信学会米沢賞
所属学会 (3件)：
応用物理学会
, 電気電子技術者学会(IEEE)
, 電子情報通信学会
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