研究者
J-GLOBAL ID：201201016323884347   更新日: 2024年01月30日

大村 泰久

オオムラ ヤスヒサ | Omura Yasuhisa
所属機関・部署：
関西大学 先端科学技術推進機構

関西大学 先端科学技術推進機構 について


職名： 名誉教授
ホームページURL (1件)： http://www.device.densi.kansai-u.ac.jp/
研究分野 (2件)： 半導体、光物性、原子物理 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (4件)： Transport Physics ,  Solid State Physics ,  Solid State Physics;Transport Physics ,  Semiconductor、Silicon、Silicon-on-insulator、Modeling、Simulation、MOSFET、Lubistor
競争的資金等の研究課題 (8件)：
  • 2012 - 2017 Basic research on Tunnel FET with Univ. of Calcutta (Prof. A. Mallik)
  • 2012 - 2015 DNAを活性層とする電荷保持素子の研究
  • 2004 - 2010 (株)リコー
  • 2000 - 2010 IMEP-INP Grenoble
  • 2006 - 2009 ソニー(株)
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論文 (192件)：
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MISC (51件)：
  • 松尾 直人, 高田 忠雄, 部家 彰, 山名 一成, 佐藤 旦, 横山 新, 大村 泰久. 招待講演 メソスコピック寸法のλ-DNA/SiO2/Si構造における正孔の非クーロンブロケード/ステアケース現象 (有機エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 2. 17-22
  • 呂 鴻飛, 佐藤 伸吾, 大村 泰久, MALLIK Abhijit. 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 291. 1-6
  • 大村 泰久, 佐藤 伸吾, MALLIK Abhijit. Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 291. 7-12
  • 大村 泰久. MOSFETの1/f雑音におけるHoogeパラメータの統合モデル (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 296. 77-82
  • 大村 泰久, 佐藤 大貴, 佐藤 伸吾, Mallik Abhijit. Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 296. 55-60
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書籍 (11件)：
  • SOI Lubistor の物理学と応用
    関西大学出版部 2017
  • MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications
    IEEE Press/John Wiley & Sons 2016
  • SOI Lubistors
    IEEE-Wiley&Sons 2013
  • 半導体デバイス工学
    オーム社 2012
  • マルチゲートFinFETのシミュレーション
    電子情報通信学会誌,小特集記事 2008
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講演・口頭発表等 (273件)：
  • Impact of Crystalline Orientation on Diffusion Constant of Rectangular Si Nanowire
    (Nanosmat Society 2017)
  • Correlation Characterization of Photoplethysmogram Signals of Pulsation -Potential for Application to Reliable Alcohol-Intake Detection-
    (IEEE Computing Conf. 2017 2017)
  • Key Aspects of Photoplethysmogram Signals for Application to Alcohol-Intake Detection
    (IEEE Sensors 2016 2016)
  • Low-Energy SOI Devices for RF Applications in Sensor Network Era
    (Int. Conf. SCI -7 2016)
  • Impact of Air Exposure on Physical Properties of Sputter-Deposited Undoped ZnO Films
    (IEEE IMFEDK 2016 2016)
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Works (4件)：
  • Semiconductor-on-insulator Technology and Related Physics 16
    Y. Omura, J. Martinio, S. Selberherr, H. Ishii, J.-P. Raskin, B.-Y. Ngyen, F. Gamiz 2013 - 2013
  • Semiconductor-on-insulator Technology and Related Physics 15
    Y. Omura, J. Martino, S. Seberherr, J.-P. Raskin, H. Ishii, B.-Y. Ngyen, F. Gamiz 2011 - 2011
  • Silicon-on-Insulator Technology and Devices 14
    Y. Omura, S. Cristoloveanu, F. Gamitz, B.-Y. Ngyen 2009 - 2009
  • Silicon-on-Insulator Technology and Devices 13
    K. Celler, S. Cristoloveanu, S. W. Bedell, F. Gamitz, B.-Y. Nguyen, Y. Omura 2007 - 2007
学位 (1件)：
  • 工学博士
委員歴 (10件)：
  • 2017/01/31 - Professional Member
  • 2017/01/31 - Nanosmat Society Professional Member
  • 2009/01/01 - 2010/12/31 Chair of Kansai Chapter
  • 2009/01/01 - 2010/12/31 Chair of Kansai Chapter
  • 2008/10/01 - 国際SOIデバイス・技術シンポジウム組織委員会委員
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受賞 (4件)：
  • 2018/01/01 - IEEE IEEE Life Fellow
  • 2010/01/01 - IEEE IEEEフェロー
  • 1983/10/23 - 日本電信電話公社 昭和58年度研究開発本部長記念盾
  • 1983/04/03 - 電子通信学会 電子通信学会学術奨励賞
所属学会 (6件)：
The Institute of Electrical and Electronics Engineers ,  The Electrochemical Society ,  International Workshiop on Low Temperature Electronics ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  Nanosmat Society
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