研究者
J-GLOBAL ID：201201021966719061
更新日: 2024年09月26日
赤澤 正道
アカザワ マサミチ | Akazawa Masamichi
所属機関・部署：
職名：
准教授
研究分野 (5件)：
電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
, 電子デバイス、電子機器
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (17件)：
GaN
, 表面不活性化
, 界面
, 表面
, XPS
, MOS
, Al2O3
, InAlN
, 窒化物半導体
, 界面準位
, InGaAs
, GaAs
, MIS
, テラヘルツ
, InP
, デバイス
, ヘテロ界面
競争的資金等の研究課題 (42件)：
- 2024 - 2027 界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
- 2023 - 2026 窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
- 2023 - 2025 イオン注入したGaN結晶の表面近傍点欠陥評価
- 2021 - 2025 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業(パワーデバイス領域)
- 2022 - 2023 GaN結晶の表面近傍点欠陥の評価・低減に関する研究
- 2020 - 2021 パワーデバイス向け窒化物半導体上シリコン熱酸化膜形成技術の確立
- 2016 - 2021 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)
- 2016 - 2021 特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開
- 2015 - 2018 高温熱処理アルミナ超薄膜による絶縁体/窒化インジウムアルミニウム界面の制御と応用
- 2012 - 2015 窒化インジウムアルミニウム混晶表面・界面におけるフェルミ準位ピンニングの制御
- 2009 - 2012 電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化
- 2008 - 2008 化合物半導体MIS界面準位に関するピンニング・スポット面内分布モデル
- 2006 - 2007 窒化ガリウムナノ細線を用いた化学センサとその集積化センサチップへの展開
- 2006 - 2006 電界移動型量子ドットを用いた室温動作高速・超低消費電力単電子スイッチ素子の研究
- 2004 - 2006 テラヘルツ電磁波をキャリアとするユビキスチップ間通信回路の研究
- 2004 - 2005 金属薄膜メッシュを用いた高効率半導体テラヘルツ波放射源の研究
- 2004 - 2005 カオス多重による超大容量光通信の研究
- 2002 - 2004 窒化ガリウム系超高速・ハイパワートランジスタ構造の表面・界面制御
- 2001 - 2003 ナノショットキーゲート制御量子ドットによるBDDアーキテクチャ単電子集積回路
- 2001 - 2003 低誘電率・高絶縁耐力プラズマ堆積C_xF_y膜を用いたSF_6代替絶縁方式の開発
- 2001 - 2002 可逆計算デバイスの実現に関する基礎的研究
- 1999 - 1999 ボルテックスを利用した機能回路の開拓
- 1998 - 1999 多数決論理にもとづく単電子集積デバイスの研究
- 1997 - 1998 極微細ボルツマンマシンニューロン素子の試作
- 1997 - 1998 新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作
- 1997 - 1998 高速スイッチング電源用のInPパワーショットキ整流ダイオードの試作
- 1996 - 1997 二分決定グラフ論理にもとづく単電子集積デバイスの研究
- 1996 - 1997 微小トンネル接合を利用した量子セルオートマトンデバイスの研究
- 1996 - 1996 超高密度多値メモリ集積回路の実現に関する基礎的研究
- 1995 - 1996 III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用
- 1995 - 1996 高ショットキー障壁MESFETを用いたInP系超高速集積回路の試作
- 1995 - 1996 2次元電子ガスへの直接ショットキー接合を利用した量子構造の研究
- 1994 - 1995 自己組織化機構を利用した半導体立体量子構造の形成と評価
- 1994 - 1995 表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究
- 1994 - 1994 InGaAs2次元電子ガスMISFETの試作
- 1993 - 1994 化合物半導体量子構造の量子準位と表面・界面準位の相互作用とその制御の研究
- 1992 - 1993 固体進行波モードおよび静磁波モードを用いた高い機能集積度を有するMMICの製作
- 1992 - 1993 選択成長を利用した半導体量子ドットの作製と物性の研究
- 1991 - 1992 半導体自由表面の表面準位分布の非接触測定とそれにもとづく表面の工学的制御
- 1991 - 1992 界面制御されたInGaAsを用いた高空間分解能撮像デバイスの試作
- 1990 - 1991 IIIーV族希薄磁性半導体の成長と評価
- 1988 - 1989 半導体キャリアの分布定数効果を利用した新しいマイクロ波モノリシック集積回路の製作
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論文 (123件)：
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Yining Jiao, Masanobu Takahashi, Taketomo Sato, Masamichi Akazawa. Effects of SiO2 cap annealing on MOS interfaces formed on Mg-doped p-type GaN surface. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 9. 09SP19-1-09SP19-6
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Yining Jiao, Takahide Nukariya, Umi Takatsu, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi, Taketomo Sato, Masamichi Akazawa. Reduction in Gap State Density near Valence Band Edge at Al2O3/p-type GaN Interface by Photoelectrochemical Etching and Subsequent SiO2 Cap Annealing. Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2024. 2400025-1-2400025-9
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Yuliu Luo, Yuki Hatakeyama, Masamichi Akazawa. Effects of low-temperature annealing on net doping profile of Mg-ion-implanted GaN studied by MOS capacitance-voltage measurement. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 12. 126501-1-126501-6
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Ryota Ochi, Takuya Togashi, Yoshito Osawa, Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Kazunari Fujikawa, Takashi Furuya, Ryota Isono, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato. Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques. Applied Physics Express. 2023. 16. 9. 091002-1-091002-2
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Y. Hatakeyama, T. Narita, M. Bockowski, T. Kachi, M. Akazawa. Investigation of gap states near conduction band edge in vicinity of interface between Mg-ion-implanted GaN and Al2O3 deposited after ultra-high-pressure annealing. Jpn. J. Appl. Phys. 2023. 62. SN. SN1002-1-SN1002-7
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MISC (44件)：
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千葉 勝仁, 中野 拓真, 赤澤 正道. ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 329. 101-105
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山崎 雄介, 稲船 浩司, 赤澤 正道, 佐野 栄一. コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2005. 104. 693. 41-46
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稲船 浩司, 赤澤 正道, 佐野 栄一. テラヘルツ領域用低損失コプレーナ導波路とそのEBGフィルタへの応用. 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波. 2004. 104. 296. 45-49
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赤澤 正道, 長谷川 英機. C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用. 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集. 2002. 2002. 2. 59-59
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小野 智之, 須田 善行, 赤澤 正道, 菅原 広剛, 酒井 洋輔, 鈴木 薫. 酸素プラズマ雰囲気中PLD法により堆積された炭素薄膜の評価. 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan. 2001. 2001. 381-386
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特許 (1件)：
書籍 (2件)：
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第2版 応用物理ハンドブック 応用物理学会編
丸善 2002
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電子情報通信ハンドブック 6-13編 新概念集積回路
オーム社 1998
講演・口頭発表等 (269件)：
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Effects of Moderate-Temperature Annealing on Near-Surface Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using MOS Structures
(2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024, Arcrea Himeji, Himeji, Hyogo, Japan, Sept. 1 - 4, 2024). 2024)
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Investigation of Charges Originated from Near-Surface Defects in p-type GaN Using X-ray Photoelectron Spectroscopy and MOS Diodes
(Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024, Lund University, Lund, Sweden, June 3-6, 2024). 2024)
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Effects of SiO<sub>2</sub>-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/p-type GaN Interfaces
(16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 3-7, 2024) 2024)
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MOS-structure based study of defects in Mg-ion-implanted GaN
(International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2023, Nagoya University, Nagoya, Japan, December 1-3, 2023) 2023)
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MOS interface technologies for high-power and high-frequency GaN transistors (invited)
(14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023) 2023)
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学歴 (2件)：
- 1988 - 1988 北海道大学 工学研究科 電気工学専攻
- 1984 - 1988 北海道大学 工学部 電気工学科
学位 (1件)：
経歴 (2件)：
- 1995/04 - 現在 北海道大学 准教授
- 1988/11 - 1995/03 北海道大学 助手
委員歴 (8件)：
- 2019/08 - 現在 The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) ICNS-14現地実行委員
- 1995/05 - 現在 電子情報通信学会 ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
- 2020/09 - 2021/11 固体素子材料コンファレンス 実行総務
- 2014/11 - 2015/10 2015年固体素子・材料コンファレンス 実行委員
- 2002/05 - 2003/05 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会幹事
- 2002/04 - 2003/03 応用物理学会 シリコンテクノロジー研究分科会常任出版幹事
- 2000/11 - 2002/05 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会幹事補佐
- 1995/05 - 2000/10 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会専門員
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受賞 (6件)：
- 2024/03 - 16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 3-7, 2024) The Best Poster Presentation Award "Effects of SiO<sub>2</sub>-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/p-type GaN Interfaces"
- 2023/03 - 15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasam2023/IC-PLANTS2023, Gifu University, Gifu, Japan, March 5-9, 2023) The Best Poster Presentation Awards "Impact of ultra-high-pressure annealing on interface state density distribution near conduction band at Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Mg-ion-implanted GaN interface"
- 2016/09 - 応用物理学会 応用物理学会優秀論文賞 "Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors"
- 2013/05 - CSManTech 2013 Paper Awards (He Bong Kim Award) "Characterization and Control of Insulated Gate Interfaces"
- 1998/10 - the 5th International Conference on Soft Computing and Information/ Intelligent Systems (IIZUKA '98) Best Paper Award "A Functional Neuro-MOS Circuit for Implementing Cellular-Automaton Picture-Processing Devices"
- 1990/08 - International Conference on Solid State Devices and Materials SSDM Young Researcher Award "In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As MISFETs Having an Ultrathin MBE Si Interface Control Layer and Photo-CVD SiO<sub>2</sub> Insulator"
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所属学会 (3件)：
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