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J-GLOBAL ID：201402286118858266   整理番号：14A0032078

ALD-Al₂O₃を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響

Effects of Fabrication Process on Electrical Properties of InAlN MOS Structures with ALD-Al₂O₃

著者 (3件)： 千葉勝仁 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  中野拓真 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  赤澤正道 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 329(ED2013 64-89)  ページ： 101-105  発行年： 2013年11月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)によるAl₂O₃層を有するInAlN MOS構造について,その電気的特性に対する作製プロセスの影響を調べた。ALD Al₂O₃膜堆積前に,保護膜を用いずに窒素雰囲気で850°Cのオーミックアニールを行った試料は,低い絶縁破壊電圧と容量変化の小さなC-V特性を示し,X線光電子分光法(XPS)により,InAlNの表面がアニール炉内の微量な汚染によって酸化したことがわかった。また,Al₂O₃堆積後にオーミックアニールを行った試料は,アニール中にInAlN表面を保護したのにもかかわらず特性が改善せず,10¹³cm^-2eV^-1台の界面準位が発生した。この結果は高温アニールによってAl₂O₃が結晶化したことに起因した可能性が高い。一方,SiN_x層を保護膜としてオーミックアニールを行い,その後ALDでAl₂O₃を堆積した試料は電気的特性が大幅に改善し,界面準位密度も伝導帯側で10¹²cm^-2eV^-1台まで低減した。また,この試料に関して400°Cで低温アニールを行ったところ,さらなる界面準位の低減が確認された。これらの結果より,作製プロセスの最適化によってAl₂O₃/InAlNの界面特性を向上させることが可能であることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  単原子層 ,  *酸化アルミニウム ,  インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化物 ,  *制御 ,  *界面 ,  *MOS構造 ,  電圧 ,  *容量電圧特性 ,  X線光電子分光法 ,  保護膜 ,  表面準位 ,  伝導バンド ,  *電流電圧特性 ,  *可変容量ダイオード ,  絶縁破壊電圧 ,  インジウム窒化アルミニウム
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  InAlN ,  界面制御 ,  MOSダイオード

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： ALD ,  Al2O3 ,  InAlN ,  MOS構造 ,  電気的特性 ,  作製 ,  プロセス