研究者
J-GLOBAL ID:201301021239292206   更新日: 2024年08月31日

牧本 俊樹

マキモト トシキ | Makimoto Toshiki
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://www.eb.waseda.ac.jp/makimoto/
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (1件): III-V族化合物半導体、窒化物半導体、結晶成長、半導体デバイス
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • 2019 - 2022 高品質GaAsN系超格子の成長と励起子に関する研究
  • 2014 - 2017 RF-MBE法によるグラフェン上へのエピタキシャルBN成長
  • 2006 - 2009 六方晶BN窒化物半導体に関する研究
論文 (228件):
  • Takashi Tsukasaki, Hisashi Sumikura, Takuma Fujimoto, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2023. 41. 5
  • Takashi Tsukasaki, Naoki Mochida, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing. Physica B: Condensed Matter. 2022. 625
  • Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143). Crystal Research and Technology. 2021. 56. 11
  • Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN. Crystal Research and Technology. 2021. 56. 3. 2000143-2000143
  • T. Tsukasaki, R. Hiyoshi, M. Fujita, T. Makimoto. Si doping mechanism in Si doped GaAsN. J. Cryst. Growth. 2019. 514. 45-48
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MISC (12件):
  • Masanobu Hiroki, Kazuhide Kumakura, Yasuyuki Kobayashi, Tetsuya Akasaka, Toshiki Makimoto, Hideki Yamamoto. Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN (vol 105, 193509, 2014). APPLIED PHYSICS LETTERS. 2015. 106. 4
  • 牧本 俊樹. SiC基板上に作製した窒化物半導体デバイスの現状と将来 (特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術). 光技術コンタクト. 2006. 44. 12. 699-708
  • AKASAKA Tetsuya, KOBAYASHI Yasuyuki, MAKIMOTO Toshiki. GaN Heteroepitaxy on Si(111) substrates Using AlN/AlGaN Superlattice Buffer Layers. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2006. 2006. 198-199
  • KOBAYASHI Yasuyuki, HIBINO Hiroki, NAKAMURA Tomohiro, AKASAKA Tetsuya, MAKIMOTO Toshiki, MATSUMOTO Nobuo. Hexagonal Boron Nitride Heteroepitaxial Layers on Graphitized 6H-SiC Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2006. 2006. 202-203
  • 嘉数 誠, 植田 研二, テレア アレクサンダ, 山内 喜晴, 牧本 俊樹. C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演). 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集. 2006. 2006. 2. 52-52
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特許 (4件):
  • 窒化物半導体層の成長方法
  • ヘテロ構造およびその製造方法
  • 窒化物半導体結晶成長方法
  • 窒化物半導体の成長方法
学歴 (2件):
  • - 1985 東京大学 工学系研究科 電気電子工学科
  • - 1983 東京大学 工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (11件):
  • 2013/04 - 現在: 早稲田大学・先進理工学部・教授
  • 2011/07 - 2013/03 : NTT物性科学基礎研究所・所長
  • 2010/10 - 2011/06 : NTT物性科学基礎研究所・機能物質科学部・部長
  • 2007/07 - 2010/09 : NTT物性科学基礎研究所・企画担当
  • 2003/04 - 2007/06 : NTT物性科学基礎研究所・グループリーダ
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受賞 (2件):
  • 2015/04 - 平成27年度文部科学大臣表彰受賞(科学技術賞研究部門)
  • 2014/09 - 応用物理学会フェロー表彰
所属学会 (2件):
電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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