牧本俊樹

マキモトトシキ | Makimoto Toshiki

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://www.eb.waseda.ac.jp/makimoto/

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (1件)： III-V族化合物半導体、窒化物半導体、結晶成長、半導体デバイス

競争的資金等の研究課題 (3件)：

論文 (228件)：

Takashi Tsukasaki, Hisashi Sumikura, Takuma Fujimoto, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2023. 41. 5
Takashi Tsukasaki, Naoki Mochida, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing. Physica B: Condensed Matter. 2022. 625
Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143). Crystal Research and Technology. 2021. 56. 11
Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto. Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN. Crystal Research and Technology. 2021. 56. 3. 2000143-2000143
T. Tsukasaki, R. Hiyoshi, M. Fujita, T. Makimoto. Si doping mechanism in Si doped GaAsN. J. Cryst. Growth. 2019. 514. 45-48

MISC (12件)：

Masanobu Hiroki, Kazuhide Kumakura, Yasuyuki Kobayashi, Tetsuya Akasaka, Toshiki Makimoto, Hideki Yamamoto. Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN (vol 105, 193509, 2014). APPLIED PHYSICS LETTERS. 2015. 106. 4
牧本俊樹. SiC基板上に作製した窒化物半導体デバイスの現状と将来 (特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術). 光技術コンタクト. 2006. 44. 12. 699-708
AKASAKA Tetsuya, KOBAYASHI Yasuyuki, MAKIMOTO Toshiki. GaN Heteroepitaxy on Si(111) substrates Using AlN/AlGaN Superlattice Buffer Layers. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2006. 2006. 198-199
KOBAYASHI Yasuyuki, HIBINO Hiroki, NAKAMURA Tomohiro, AKASAKA Tetsuya, MAKIMOTO Toshiki, MATSUMOTO Nobuo. Hexagonal Boron Nitride Heteroepitaxial Layers on Graphitized 6H-SiC Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2006. 2006. 202-203
嘉数誠, 植田研二, テレアアレクサンダ, 山内喜晴, 牧本俊樹. C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演). 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集. 2006. 2006. 2. 52-52

特許 (4件)：

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (11件)：

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受賞 (2件)：

所属学会 (2件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会

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牧本 俊樹