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J-GLOBAL ID：201902285541946469   整理番号：19A0798350

SiドープGaAsNにおけるSiドーピング機構【JST・京大機械翻訳】

Si doping mechanism in Si doped GaAsN

著者 (4件)： Tsukasaki T. (Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Hiyoshi R. (Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Fujita M. (NIT Ichinoseki College, Takanashi, Hagisyo, Ichinoseki-shi, Iwate, Japan) ,  Makimoto T. (Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 514  ページ： 45-48  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波プラズマ支援分子線エピタクシー(RF-MBE)により成長させた希薄窒化物GaAsNにおけるSiドーピング機構を系統的に調べた。成長温度,Si不純物濃度([Si]),窒素組成([N])を変化させた。Si活性化比(α)と[N]の間の関係をX線回折(XRD)2θ-ωとHall効果測定を用いて評価した。GaAsN中の[N]が増加すると,αは劇的に減少し,Asサイト((Si-N)_As)におけるSiとNのクラスタのような不活性なSiドナーの機構に起因する。GaAsN中の不活性Siドナーの主因子は[Si]と[N]の両方に依存することを見出した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドナー ,  Hall効果 ,  *ケイ素 ,  窒化物 ,  活性化エネルギー ,  X線回折 ,  クラスタ ,  MBE成長 ,  *ドーピング ,  RFプラズマ

著者キーワード (6件)： A3 分子ビームエピタクシー ,  B1 GaAsN ,  A1 Electron濃度 ,  A1 Electron活性化エネルギー ,  A1 Si活性化比 ,  A1 ドーピング機構

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ドープ ,  ドーピング