研究者
J-GLOBAL ID:201701002288962093
更新日: 2024年05月01日
市川 修平
イチカワ シュウヘイ | Ichikawa Shuhei
所属機関・部署:
職名:
准教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
ホームページURL (2件):
http://www.sfm.eei.eng.osaka-u.ac.jp/
,
http://www.sfm.eei.eng.osaka-u.ac.jp/en/
研究分野 (3件):
電気電子材料工学
, 光工学、光量子科学
, 結晶工学
競争的資金等の研究課題 (15件):
- 2023 - 2028 半導体イントラセンター・フォトニクスの新展開
- 2023 - 2027 マイクロLEDとの一体化で実現するMoS2薄膜によるVOCガスのリアルタイム検知
- 2022 - 2024 窒化物光デバイスの高効率化に向けた光電子・発光融合分光分析の創製
- 2018 - 2023 半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓
- 2020 - 2023 (継続テーマ) 希土類元素ドープによる高品質GaN系微傾斜表面の作製と高密度原子ステップを利用した高機能デバイスの開発
- 2019 - 2022 実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源
- 2019 - 2022 次世代スマートデバイスに向けた新材料半導体ナノワイヤ発光素子の要素技術開発
- 2018 - 2022 超短パルス時間分解光電子分光測定によるワイドギャップ半導体の表面再結合速度の同定
- 2019 - 2022 希土類元素ドープによる高品質GaN系微傾斜表面の作製と高密度原子ステップを利用した高機能デバイスの開発
- 2019 - 2021 歪場・表面構造の自在制御による窒化物半導体の新奇物性創製
- 2019 - 2020 構造制御エピタキシー法を適用した希土類添加窒化物半導体の高効率発光素子開発
- 2019 - 2020 希土類添加技術を利用した窒化ガリウム結晶における新奇ステップ制御エピタキシー法の創製と高機能光デバイスの開発
- 2018 - 2019 Tm添加GaN系半導体における4f殻内遷移を利用した超狭帯域青色・近赤外LEDの開発
- 2017 - 2019 半導体における希土類発光機能のフォトン場制御
- 2014 - 2017 非極性面上窒化アルミニウムガリウム系半導体結晶の高品質化と物性制御
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論文 (74件):
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Kenjiro Uesugi, Ryota Akaike, Shuhei Ichikawa, Takao Nakamura, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake. 230 nm wavelength range far-UVC LED with low Al-composition differentiation between well and barrier layers of MQWs. Applied Physics Express. 2024
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Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Volkmar Dierolf, Brandon Mitchell, Hayley Austin, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara. An efficiently excited Eu3+ luminescent site formed in Eu,O-codoped GaN. AIP Advances. 2024
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Shuhei Hatanaka, Taro Tsuchiya, Shuhei Ichikawa, Jun Yamasaki, Kazuhisa Sato. Ultrafast dynamics of a photoinduced phase transition in single-crystal trititanium pentoxide. Applied Physics Letters. 2023
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Zhidong Fang, Jun Tatebayashi, Ryohei Homi, Masayuki Ogawa, Hirotake Kajii, Masahiko Kondow, Kyoko Kitamura, Brandon Mitchell, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara. Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er, O-co-doped GaAs. Optics Continuum. 2023
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Jun Tatebayashi, Takaya Otabara, Takuma Yoshimura, Raiki Hada, Ryo Yoshida, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara. Formation and Optical Characteristics of GaN:Eu/GaN Nanowires for Applications in Light-Emitting Diodes. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2023
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MISC (4件):
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加藤昌稔, 山田晋也, 山田晋也, 市川修平, 小林周平, 山田道洋, 山田道洋, 内藤貴大, 舘林潤, 藤原康文, et al. 強磁性ホイスラー合金/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
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佐藤和久, 保田英洋, 市川修平, 今村真幸, 高橋和敏, 波多聰, 松村晶, 穴田智史, 李正九, 森博太郎. 内殻電子励起による界面固相反応の制御. 日本金属学会講演概要(CD-ROM). 2019. 164th. ROMBUNNO.358
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佐藤和久, 佐藤和久, 保田英洋, 保田英洋, 市川修平, 市川修平, 今村真幸, 高橋和敏, 波多聰, 波多聰, et al. フォトン照射によるPt/SiOx界面固相反応. 日本物理学会講演概要集(CD-ROM). 2019. 74. 2
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山田晋也, 山田晋也, 本多遼成, 後藤優貴, 市川修平, 舘林潤, 藤原康文, 藤原康文, 浜屋宏平, 浜屋宏平. GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co2FeSi薄膜の低温MBE成長. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 80th
特許 (1件):
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窒化物半導体デバイスとその基板、および希土類元素添加窒化物層の形成方法、並びに赤色発光デバイスとその製造方法
講演・口頭発表等 (16件):
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発光分光・光電子分光を活用した窒化物半導体表面でのキャリアダイナミクス評価
(応用物理学会 応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会, 京都テルサ)
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Combinational integration of Eu-doped GaN and InGaN LEDs and their prospects for miniaturization
(<i>10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2024)</i>, <b>LEDIA5-01</b>, Yokohama, Japan, April 24-25 (2024).)
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成長表面の異なる深紫外AlGaN量子井戸の結晶成長と光物性
(ワイドギャップ半導体学会(WideG)第15回研究会「UV系デバイス」, コモレ四谷タワーコンファレンス 2024)
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Hybrid Integration of Eu-Doped GaN and InGaN LEDs towards Ultrahigh Definition Micro LED Display
(<i>16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024)</i>, <b>06aD02I</b>, Nagoya, Japan, March 3-7 (2024). 2024)
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マイクロLEDディスプレイ実現に向けたGaN系RGB LEDのモノリシック集積と微細化に向けた展望
(電子情報通信学会 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会, <b>27</b>, 龍谷大学 響都ホール校友会館 2024)
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学歴 (2件):
- 2012 - 2017 京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
- 2008 - 2012 京都大学 工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
経歴 (5件):
- 2024/03 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 准教授
- 2022/03 - 2024/02 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 助教
- 2020/09 - 2022/02 大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター 助教
- 2018/04 - 2020/09 大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻 助教
- 2017/04 - 2018/03 大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター 特任助教
委員歴 (5件):
- 2019 - 現在 14th International Conference on Nitride Semiconductors Publication Committee
- 2021/03 - 2023/03 電子材料シンポジウム実行委員会 総務委員
- 2019 - 2019 第38回電子材料シンポジウム(EMS-38) 会場委員
- 2019 - 2019 日本結晶成長学会(JCCG-48)現地実行委員
- 2018 - 2018 第37回電子材料シンポジウム(EMS-37) 会場委員
受賞 (11件):
- 2024/04 - the 10th Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA 2024) Young Researcher’s Paper Award Combinational integration of Eu-doped GaN and InGaN LEDs and their prospects for miniaturization
- 2023/03 - 応用物理学会 第44回(2022年度)応用物理学会論文賞 Eu-doped GaN and InGaN monolithically stacked full-color LEDs with a wide color gamut
- 2021/03 - CGCT-8 CGCT Young Scientist Award Demonstration of macrostep-free GaN bipolar device structures on vicinal (0001) substrates using Eu-doped GaN interlayers
- 2019/06 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 研究奨励賞 高密度原子ステップ表面を有するGaN系半導体におけるSiドーピング時の成長挙動
- 2019/04 - 日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 平成30年度講演奨励賞 In-situ Euドーピング技術を利用した微傾斜(0001)GaN表面のステップバンチング抑制
- 2019/03 - ISPlasma2019/IC-PLANTS2019 Best Poster Presentation Award Excitation and relaxation processes of narrow-band blue emission in Tm-doped AlGaN revealed by time-resolved photoluminescence spectroscopy
- 2019/03 - 公益信託小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成基金 小澤・吉川記念賞 希土類添加技術を利用した窒化ガリウム結晶における新奇ステップ制御エピタキシー法の創製と高機能光デバイスの開発
- 2014/09 - 2014年秋季第75回応用物理学会関係連合講演会 講演奨励賞 CLマッピング測定を用いたAlGaN系半導体における支配的な非輻射再結合経路の直接観察
- 2014/07 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞 半極性面AlGaN/AlN量子井戸の短い輻射再結合寿命と発光強度の増大
- 2014/07 - 第33回電子材料シンポジウム EMS賞 Strong Emissions from Semipolar AlGaN/AlN Quantum Wells with Fast Radiative Recombination Lifetimes
- 2013/03 - 京都大学 融合ナノ基盤工学研究部門第5回成果報告会 優秀発表賞 半極性(1-102)AlNホモエピタキシャル膜における表面ナノピットの形成と消滅
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所属学会 (1件):
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