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J-GLOBAL ID：201902212011254359   整理番号：19A2598255

GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co₂FeSi薄膜の低温MBE成長

著者 (10件)： 山田晋也 (阪大 基礎工 CSRN) ,  山田晋也 (大阪大 基礎工) ,  本多遼成 (大阪大 基礎工) ,  後藤優貴 (大阪大 基礎工) ,  市川修平 (大阪大 工) ,  舘林潤 (大阪大 工) ,  藤原康文 (大阪大 工) ,  藤原康文 (阪大 基礎工 CSRN) ,  浜屋宏平 (阪大 基礎工 CSRN) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18a-PB3-45  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 次世代の半導体スピントロニクス素子の一つとして,強磁性電極からスピン偏極した電子を注入して円偏光を生成するスピンLEDに期待が集まっている[1].最近,FeCo/MgOトンネルコンタクトをスピン注入源とするGaNスピンLEDにおいて,室温で...【本文一部表示】

シソーラス用語： 強磁性体 ,  *ホイスラー合金 ,  *コバルト合金 ,  *鉄含有合金 ,  *ケイ素含有合金 ,  *磁性薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  MBE成長 ,  曲線 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  RHEED ,  スピントロニクス ,  スピン分極 ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  飽和磁化 ,  磁化曲線 ,  HAADF-STEM ,  完全スピン偏極強磁性体
準シソーラス用語： ハーフメタル ,  *GaN

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ハーフメタル ,  ホイスラー合金 ,  低温 ,  MBE成長